浅析离子束刻蚀机物理量传感器MEMS刻蚀应用

应用于研究监测土壤的力学结构变化, 一般用于山体, 岩石和冻土等环境研究的物理量传感器 mems, 这种传感器的制造一般需要经过镀膜, 沉积, 刻蚀等工艺多次循环, 金 au 和 铂 pt 是传感器加工中常用的涂层, 在完成镀膜后, 蚀刻是制造微型结构的重要工艺之一, 用传统的刻蚀工艺 ( 湿法刻蚀, icp 刻蚀和 rie 刻蚀) 常常无法有效的刻蚀出所需的图形.
上海伯东日本原装进口离子束刻蚀机 ibe 可以很好的解决传感器 mems 的刻蚀难题, 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状, 刻蚀那些很难刻蚀的硬质或惰性材料.
上海伯东离子束刻蚀机物理量传感器 mems 刻蚀方案.
刻蚀材料: 4寸 物理量传感器 mems (表面镀 金 au 和 铂 pt)
刻蚀均匀性要求: ≤±5%
刻蚀难点: au 和 pt 反应离子刻蚀 rie 无法满足要求
刻蚀设备: 10 ibe 因客户信息保密, 部分刻蚀数据结果如下:
离子束刻蚀机 10 ibe 主要技术参数:
基板尺寸 4寸
样品台 干式橡胶卡盘+直接冷却(水冷)+0-±90 度旋转
离子源 考夫曼源(栅网 φ100mm)
均匀性 ≤5%(4寸si晶圆)
刻蚀速率 20nm/min (si晶圆)
真空度 1e-3pa(45min内)
真空系统 干泵+伯东 德国 pfeiffer 分子泵
上海伯东日本原装进口离子束刻蚀机推荐应用:
类别 器件 刻蚀材料
磁性器件 自旋电子: mr / amr / gmr / tmr, mram, hdd ni-fe, ni-co, tio2, bst, co-fe, ta, cu, ni-mo, sio2 等等…
传感器 mems 铂热电阻, 流量计, 红外传感器, 压电打印机头等 pt, pzt, au, pt, w, ta (electrode) 等等…
rf 射频器件 射频滤波器, gaas / gan hemt 等 au, pt, ti, ru, cr, ln (linbo3) 等
光电子 激光二极管, 光电探测器, 薄膜分装等 au, pt, ti, tan, gan 等
其他 探针卡, 薄膜片式电阻器, 氧化物, 超导等 nicr, cr, cu, pd, ir, lufe2o4, srtio4, mgohfo2 等
上海伯东日本原装设计制造离子刻蚀机 ibe, 提供微米级刻蚀, 满足所有材料的刻蚀, 即使对磁性材料, 黄金 au, 铂 pt, 合金等金属及复合半导体材料, 这些难刻蚀的材料也能提供蚀刻. 可用于反应离子刻蚀 rie 不能很好刻蚀的材料.
自 1970年至今, hakuto 伯东已累计交付约 500套离子蚀刻机. 蚀刻机可配置德国 pfeiffer 涡轮分子泵和美国 kri 考夫曼离子源!
伯东公司超过 50年的刻蚀 ibe 市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术!


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