汽车导航系统应用于富士通FRAM铁电存储器MB85R2001
mb85r2001是一种富士通fram芯片，由262，144字×8位非易失性存储单元组成，这些单元使用铁电工艺和硅栅cmos工艺技术创建。能够保留数据，而无需使用sram所需的备用电池。mb85r2001中使用的存储单元可用于1010次读/写操作，与flash存储器 和e2prom支持的读和写操作数量相比，有了显着改进。使用与常规异步sram兼容的伪sram接口。
引脚
富士通的 mb85r2001和mb85r2002具有非易失性存储器，具有高速数据写入，低功耗和提供大量写入周期的能力。
框图
mb85r2001和mb85r2002 fram芯片是汽车导航系统，多功能打印机，测量仪器和其他高级应用的理想选择，这些应用可以使用非易失性存储器来存储各种参数，记录设备的运行状况并保存安全信息。
mb85r2001的配置为256k字x 8位，而mb85r2002的配置为128k字x 16位。mb85r2001和mb85r2002均具有100ns的读取访问时间和150ns的读/写周期时间。mb85r2001和mb85r2002的工作电压为3v至3.6v。富士通代理商提供产品技术支持及解决方案。
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