乾照光电推动Mini/Micro LED技术的应用和发展
凭借自发光、高效率、低功耗、高集成、高稳定性、全天候工作的优点，micro led被认为极有可能成为具有颠覆性和变革性的下一代主流显示技术，吸引产业链多家企业技术“押注”。
芯片作为micro led产业化的关键节点，掌握了micro led发展的重要命脉。
“乾照光电作为led芯片龙头厂商之一，已在micro led赛道布局多年。但是，当前的诸多技术问题还是制约了micro led的发展速度。”乾照光电董事长金章育在2023年高工led年会上表示。
目前，国际国内各大终端都十分看好micro led技术，其应用领域可以涵盖包括头戴ar/vr微显示、手表、车载、pid/电视等大屏幕显示等诸多领域，国内电视龙头海信视像也布局此赛道，在今年实现了对乾照光电的控股。
乾照光电与海信视像的之间强强联合，正以“需求”为落脚点加速攻破相关技术瓶颈。
事实上，早在2020年，乾照光电就成立研究院，旨在开发mini/micro led的相关技术，推动mini/micro led技术的应用和发展，并联合产业界上下游布局mini/micro led技术的触角和抓手，为客户提供mini/micro led解决方案，也作为与客户协同开发相关技术的平台和窗口。
发展至今，研究院研发设备投入总计约1亿元，投建百级试产线，研发人员超50+，汇集海外&台湾专家以及业内10年以上经验者。
据金章育介绍，目前制约micro led技术大规模应用的主要技术挑战主要有micro led的光效挑战、高均匀性和高良率困难、巨量转移良率低成本高、led适用电流与玻璃基tft不匹配等四点。
相对来讲，上述一、四点是制约手表应用快速发展的关键瓶颈，而一、二、三点则是制约电视等大尺寸应用发展的技术瓶颈。所以，一旦企业的研发成果能够解决这些问题，包括手表和电视等应用产品将快速落地开花。
针对以上问题，乾照光电研究院开展了相关研究。
在高光效外延芯片技术方面，研究缓冲层生长技术提升晶体质量、研究有源层能带工程技术，提升辐射复合效率、研究薄型高反射率dbr工艺和侧壁修复工艺提升芯片光效；
在巨量转移技术方面，研究临时键合工艺和材料，开发高良率fcoc技术，以及高良率、高精度、高速度的激光排列技术、研究不同键合材料体系，开发基于激光的巨量键合技术；
在高良率高精度芯片制程技术方面，进行亚微米级精度芯片制程开发、研究99.99%以上良率所需的外延芯片制程工艺及设备要求，达成良率目标；
在微显示技术方面，先进行wafer to wafer的晶圆级键合，再进行半导体制程路线、先制作芯片，再进行chip to wafer的芯片对位键合的制程路线；
在检测和修复技术方面，pl+aoi检测仍旧是目前较通用的方式，coc/cog的修复技术开发中。
同时还开发单芯片全彩技术以及模组制备技术，其中单芯片全彩技术能够通过将rgb三色芯片封装到一个chiplet中，实现点测分选，降低巨量转移的良率要求，有效解决行业难题，加速micro led技术的落地。
据了解，目前乾照光电在micro led相关专利布局100余项，并在2023下半年建成中试线，将引导micro led产业化发展。
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目前，国际国内各大终端都十分看好micro led技术，其应用领域可以涵盖包括头戴ar/vr微显示、手表、车载、pid/电视等大屏幕显示等诸多领域，国内电视龙头海信视像也布局此赛道，在今年实现了对乾照光电的控股。
乾照光电与海信视像的之间强强联合，正以“需求”为落脚点加速攻破相关技术瓶颈。
事实上，早在2020年，乾照光电就成立研究院，旨在开发mini/micro led的相关技术，推动mini/micro led技术的应用和发展，并联合产业界上下游布局mini/micro led技术的触角和抓手，为客户提供mini/micro led解决方案，也作为与客户协同开发相关技术的平台和窗口。
发展至今，研究院研发设备投入总计约1亿元，投建百级试产线，研发人员超50+，汇集海外&台湾专家以及业内10年以上经验者。
据金章育介绍，目前制约micro led技术大规模应用的主要技术挑战主要有micro led的光效挑战、高均匀性和高良率困难、巨量转移良率低成本高、led适用电流与玻璃基tft不匹配等四点。
相对来讲，上述一、四点是制约手表应用快速发展的关键瓶颈，而一、二、三点则是制约电视等大尺寸应用发展的技术瓶颈。所以，一旦企业的研发成果能够解决这些问题，包括手表和电视等应用产品将快速落地开花。
针对以上问题，乾照光电研究院开展了相关研究。
在高光效外延芯片技术方面，研究缓冲层生长技术提升晶体质量、研究有源层能带工程技术，提升辐射复合效率、研究薄型高反射率dbr工艺和侧壁修复工艺提升芯片光效；
在巨量转移技术方面，研究临时键合工艺和材料，开发高良率fcoc技术，以及高良率、高精度、高速度的激光排列技术、研究不同键合材料体系，开发基于激光的巨量键合技术；
在高良率高精度芯片制程技术方面，进行亚微米级精度芯片制程开发、研究99.99%以上良率所需的外延芯片制程工艺及设备要求，达成良率目标；
在微显示技术方面，先进行wafer to wafer的晶圆级键合，再进行半导体制程路线、先制作芯片，再进行chip to wafer的芯片对位键合的制程路线；
在检测和修复技术方面，pl+aoi检测仍旧是目前较通用的方式，coc/cog的修复技术开发中。
同时还开发单芯片全彩技术以及模组制备技术，其中单芯片全彩技术能够通过将rgb三色芯片封装到一个chiplet中，实现点测分选，降低巨量转移的良率要求，有效解决行业难题，加速micro led技术的落地。
据了解，目前乾照光电在micro led相关专利布局100余项，并在2023下半年建成中试线，将引导micro led产业化发展。
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