可控硅详细介绍
可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个pn 结的四层结构的大功率半导体器件。实际上,可控硅的功用不仅是整流,它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路,实现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电,等等。可控硅和其它半导体器件一样,其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。
一、 可控硅的结构和特性
■可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种(见图表-25)。螺旋式的应用较多。
■可控硅有三个电极----阳极(a)阴极(c)和控制极(g)。它有管芯是p 型导体和n 型导体交迭组成的四层结构,共有三个pn 结。其结构示意图和符号见图表-26。
■从图表-26中可以看到,可控硅和只有一个pn 结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用,为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。在应用可控硅时,只要在控制极加上很小的电流或电压,就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
■可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作原理。
■首先,我们可以把从阴极向上数的第一、二、三层看面是一只npn 型号晶体管,而二、三四层组成另一只pnp 型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。这样就可画出图表-27(c)的等效电路图来分析。当在阳极和阴极之间加上一个正向电压ea ,又在控制极g和阴极c之间(相当bg1 的基一射间)输入一个正的触发信号,bg1 将产生基极电流ib1 ,经放大,bg1 将有一个放大了β1 倍的集电极电流ic1 。因为bg1 集电极与bg2 基极相连,ic1 又是bg2 的基极电流ib2 。bg2 又把比ib2 (ib1 )放大了β2 的集电极电流ic2 送回bg1 的基极放大。如此循环放大,直到bg1 、bg2 完全导通。实际这一过程是“一触即发”的过程,对可控硅来说,触发信号加入控制极,可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。
■可控硅一经触发导通后,由于循环反馈的原因,流入bg1 基极的电流已不只是初始的ib1 ,而是经过bg1 、bg2 放大后的电流(β1 *β2 *ib1 )这一电流远大于ib1 ,足以保持bg1 的持续导通。此时触发信号即使消失,可控硅仍保持导通状态只有断开电源ea 或降低ea ,使bg1 、bg2 中的集电极电流小于维持导通的最小值时,可控硅方可关断。当然,如果ea 极性反接,bg1 、bg2 由于受到反向电压作用将处于截止状态。这时,即使输入触发信号,可控硅也不能工作。反过来,ea 接成正向,而触动发信号是负的,可控硅也不能导通。另外,如果不加触发信号,而正向阳极电压大到超过一定值时,可控硅也会导通,但已属于非正常工作情况了。
■可控硅这种通过触发信号(小的触发电流)来控制导通(可控硅中通过大电流)的可控特性,正是它区别于普通硅整流二极管的重要特征。
二、可控硅的主要参数
可控硅的主要参数有:
1、 额定通态平均电流it在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。
2、 正向阻断峰值电压vpf 在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值。
3、 反向阴断峰值电压vpr当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时,不能超过手册给出的这个参数值。
4、 控制极触发电流ig1 、触发电压vgt在规定的环境温度下,阳极---阴极间加有一定电压时,可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。
5、 维持电流ih在规定温度下,控制极断路,维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。
近年来,许多新型可控硅元件相继问世,如适于高频应用的快速可控硅,可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅,可以用正触发信号使其导通,用负触发信号使其关断的可控硅等等。
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