压阻式传感器的结构与产品推荐
压阻式传感器的结构
这种传感器采用集成工艺将电阻条集成在单晶硅膜片上，制成硅压阻芯片，并将此芯片的周边固定封装于外壳之内，引出电极引线。压阻式压力传感器又称为固态压力传感器，它不同于粘贴式应变计需通过弹性敏感元件间接感受外力，而是直接通过硅膜片感受被测压力的。
硅膜片的一面是与被测压力连通的高压腔，另一面是与大气连通的低压腔。硅膜片一般设计成周边固支的圆形，直径与厚度比约为20～60。在圆形硅膜片定域扩散4条p杂质电阻条，并接成全桥，其中两条位于压应力区，另两条处于拉应力区，相对于膜片中心对称。
此外，也有采用方形硅膜片和硅柱形敏感元件的。硅柱形敏感元件也是在硅柱面某一晶面的一定方向上扩散制作电阻条，两条受拉应力的电阻条与另两条受压应力的电阻条构成全桥。压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。
其基片可直接作为测量传感元件，扩散电阻在基片内接成电桥形式。
当基片受到外力作用而产生形变时，各电阻值将发生变化，电桥就会产生相应的不平衡输出。用作压阻式传感器的基片（或称膜片）材料主要为硅片和锗片，硅片为敏感材料而制成的硅压阻传感器越来越受到人们的重视，尤其是以测量压力和速度的固态压阻式传感器应用最为普遍。
压阻式压力传感器产品推荐：
美国meas 硅压阻式压力传感器 - 27and37
美国meas 硅压阻式压力传感器 27and37 ，它采用 measurement specialties 的专有 ultrastable™ 冲模来提供大温度范围内的出色性能和长期稳定性。 0-15 到 0-250 psi 的测量仪和压差范围可用。
美国meas 硅压阻式压力传感器 - ms4425
ms4425 是一款温度补偿、硅压阻式压力传感器，采用双列直插式封装，主要用于要求出色性能和长期稳定性的成本敏感型应用。
美国meas 硅压阻式压力传感器 - ms4426
美国meas 硅压阻式压力传感器 ms4426 是一款温度补偿、压阻式硅压力传感器，采用双列直插式封装，主要用于要求出色性能和长期稳定性的成本敏感型应用。
硅压阻式压力传感器 - ms5534c
ms5534c硅压阻式压力传感器采用先进的adc模数转换ic，提供16位的压力和温度数字输出。传感器还提供6个可读系数用于高精度软件校正。ms5534c的主要特点是低电压、低功耗，以及自动待机（on/off）功能。
硅压阻式压力传感器 - 1200系列
1200系列是经过温度补偿的硅压阻式压力传感器，采用双列直插封装结构。通过激光修正电阻实现大范围的温度补偿，以及调节差动放大器的增益来校正传感器的压力灵敏度变化。
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硅膜片的一面是与被测压力连通的高压腔，另一面是与大气连通的低压腔。硅膜片一般设计成周边固支的圆形，直径与厚度比约为20～60。在圆形硅膜片定域扩散4条p杂质电阻条，并接成全桥，其中两条位于压应力区，另两条处于拉应力区，相对于膜片中心对称。
此外，也有采用方形硅膜片和硅柱形敏感元件的。硅柱形敏感元件也是在硅柱面某一晶面的一定方向上扩散制作电阻条，两条受拉应力的电阻条与另两条受压应力的电阻条构成全桥。压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。
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