具有R-R输入功能的低压低功耗CMOS运算放大电路的设计与实现

引言
电源电压逐步下降,晶体管的阈值电压并没有减小,但是运放的共模输入范围越来越小,这使设计出符合低压低功耗要求,输入动态幅度达到全摆幅的运放成为一种必须。本文所设计的具有轨至轨(r-r)输入功能的低压低功耗cmos运算放大电路,在各种共模输入电平下有着几乎恒定的跨导,使频率补偿更容易实现,适合应用于vlsi库单元及其相关技术领域。
理论模型
基本的轨至轨输入结构
在较低的电源电压下,运算放大器的输 入级设计是非常重要的。传统的pmos差动输入级的共模输入电压范围 vcm可表示为:
式中,vss为负电源电压, vcm为共模输入电压,vdsat为源漏饱和压降,vgsp为pmos的栅源电压。同理,nmos差动输入级的共模输入电压范围可表示为:
式中,vgsn为nmos的栅源电压。如果将pmos和nmos差分对互补连接使用,就可以使运放的输入共模范围变为:
从而实现了轨至轨的共模输入。图1为轨至轨输入结构的电路示意图。
跨导恒定结构
图1所示的轨至轨输入级电路采用互补折叠式结构,使共模输入电压可以在整个从地到电源电压的范围内工作,如果输入级工作在饱和区,电路的跨导由下面的公式确定:
式中mn和mp分别代表nmos和pmos的迁移率。从上面的公式可以看出,输入级的跨导会随栅源电压和便置电流的变化而变化。因此,当共模输入电平从vdd到vss变 化时,轨至轨输入差分对的跨导从pmos差分对的跨导变化到pmos +nmos差分对的跨导之和,再变化到nmos差分对的跨导。中间部分跨导gm几乎是其它部分的一倍,这种跨导的变化会使运放的增益误差发生变化,从而使频率特性变差,因此,需要设计一种电路,使轨至轨输入电路具有恒定的跨导。
目前,可保证r-r输入级的gm恒定不变的设计方法主要有以下几种:1. 采用双极(bjt)线性互补差分对形式的输入级。 2. 由齐纳二极管将p、n差分对的偏置电流连起来实现。 3. 采用冗余的差分对来实现。4. 用电流镜技术,使偏置电流的大小随输入共模电压的变化而变化。
上述第4种方法的电路不仅结构简单,而且对gm的控制也易于实现。因此,本文运用了对输入跨导的控制原理,采用了一种 全新的保持r-r输入级gm为常数的电路结构。
电路设计
本文所设计的电路如图2所示,该电路由输入互补差分对、恒定gm电路、共源共栅求和电路组成。m1~m4构成了输入互补差分对。当低共模输入时,p输入差分对m1、m4处于工作状态,n输入差分对m2、m3截止,开关管m17 、m18开启,抽取m16上的电流;m13、m14截止。m15的电流全部流入p差分对,则此区间的等效差分跨导为:
当共模输入电压在中间值附近时, p差分对m1、m4与n差分对m2、m3均导通,控制开关m17、m18、m13、m14开启,分别调节它们的栅电压,使其从m15、m16均抽取3/4的电流,则此区间的等效差分跨导为:
当在高共模输入区时,n差分对m2、m3工作,p差分对m1、m4截止。开关管m13、m14开启,抽取m15上的电流,开关管m17、m18截止,m16的电流全部流入n差分对,则此区间的等效差分跨导为:
从上面的分析可知,只要合理选择四个输入管子的长宽比,满足如下关系:
gm就会保持恒定。
m5~m12为共源共栅求和电路。这种结构的输出阻抗和电压增益比较高,并且有很好的频率特性和电源抑制比。经过分析可知,该电路结构在互补差分对交替工作的时候,当m1,m4与m2、m3不能同时处于饱和状态时,引起求和电路m5~m12的静态电流发生变化,使电路的输出电阻和极点发生少许改变,从而可能会在过渡区出现大跨导尖峰,但是,由于这个过渡区很窄,估计这种大的尖峰不会出现,在整个共模范围内,输入跨导基本保持恒定。
仿真结果
本文采用tsmc公司的0.35mm工艺器件的hspice参数模型进行仿真,得到下面的结果。图3是运放的总跨导,从图中可以看出,当共模输入电压从0v到2v变化时,整个跨导在5%以内变化,跨导在中部的变化正如上面所述,是由于 差动对交替工作时,静态电流的变化所引起的。
结语
本文所设计的运算放大器具有2v的电源电压,150mw的功耗和75°的相位裕度,在整个共模范围内,输入级的跨导基本保持恒定,提高了运放的性能指数。且结构简单,特别适合作为vlsi的库单元。


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