台积电:“7nm”工艺客户最终将转型至其即将推出“6nm”工艺
在本周的季度收益电话会议上，台积电方面透露，该公司预计其大部分7nm“n7”工艺客户最终将转型至其即将推出的6nm“n6”工艺制造节点。即将到来的“n6”工艺节点将使用与“n7”节点相同的设计规则，使客户更容易转换到更新，更密集的节点。而且，如果台积电的预测成真，n6毫无疑问将成为台积电下一个广泛使用，长期服务的流程节点。
此前有消息报道，台积电的n6工艺技术采用极紫外光刻（euvl），通过减少多图案化所需的曝光次数来降低制造复杂性（目前需要这种曝光，因为tsmc的n7仅使用duv光刻）。台积电没有明确说明在n7+或n6上有多少层使用euvl，但已经证实后者与前者相比增加了一个额外的euvl层。
虽然台积电的n6采用新的生产设备，晶体管密度比n7制造技术高出18％，但n6采用与n7相同的设计规则，使芯片设计人员能够重复使用相同的设计生态系统（例如工具等） ，这将使他们降低开发成本。相比之下，n7+使用不同的设计规则，但与n7相比，它还提供了比n6更多的优势。
虽然台积电的合作伙伴采用了n7和n7+两种工艺，并且全球最大的芯片合约制造商预计这两种技术在2019年将占其晶圆收入的25％以上，但前者看起来比后者更受欢迎。与此同时，台积电预计今天使用n7的大多数客户将转向n6，然后转向n5跳过n7+。考虑到n7的普及程度，n6也可能会非常受欢迎。
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