国芯思辰｜优晶N沟道MOSFET YC40N04BDE用于PCR仪TEC控制，满足项目性能需求
yc40n04bde是优晶的n沟道mosfet，该芯片具有小尺寸、低压大电流等特点，广泛应用在dc/dc转换、服务器的板载电源以及同步整流线路中。
某工程师在pcr项目tec控制部分需要用到4个n沟道场效应管来控制tec，该工程师想要了解一些国产厂牌的mos，因此国芯思辰给其介绍了优晶的n沟道场效应管yc40n04bde。
yc40n04bde具有以下特点：
1、采用沟槽型功率中压mosfet技术，vds耐压可以达到40v，id可以达到40a，对于低压设计留有足够的余量。
2、采用高密度单元设计，rds(on) 低至8mω（vgs=10v），极低的导通电阻，可以减少开关损耗。
3、工作温度在-55℃-150℃之间，有较强的环境温度适应性，可以适用于低温或者高温的环境。
4、采用dfn3*3封装，具有较强的散热能力。
封装示意图：
综上，yc40n04bde在性能上都能满足tec驱动的设计要求，非常适用于pcr仪的设计。
注：如涉及作品版权问题，请联系删除。
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yc40n04bde具有以下特点：
1、采用沟槽型功率中压mosfet技术，vds耐压可以达到40v，id可以达到40a，对于低压设计留有足够的余量。
2、采用高密度单元设计，rds(on) 低至8mω（vgs=10v），极低的导通电阻，可以减少开关损耗。
3、工作温度在-55℃-150℃之间，有较强的环境温度适应性，可以适用于低温或者高温的环境。
4、采用dfn3*3封装，具有较强的散热能力。
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综上，yc40n04bde在性能上都能满足tec驱动的设计要求，非常适用于pcr仪的设计。
注：如涉及作品版权问题，请联系删除。
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