射频芯片layout设计的40MHz晶振布局走线规范

40mhz晶振布局走线规范
在没有结构限制情况下, crystal 和 bt chip 要放在同一层面。
为了避免干扰 rf 信号, crystal 尽量远离 rf trace。
crystal 的放置应尽可能靠近 bt chip,路径要短, trace 宽度建议超过 6mil。
如果是 2 层板,禁止在 crystal 的背层走线,让背层(bot)的铺铜保留完整性。
esd layout
tvs 摆放位置应尽可能靠近 esd 源头(接头等处),与被保护 ic 的距离要远于 esd 源。布线时需将 esd 源直接接到 tvs,减少 tvs 管和回流地之间的寄生电感
分割地平面时要注意缩短信号线的回流路径, 采用星状线的方式实现并联接地。
删除孤岛铜皮,用地将敏感信号包裹起来,防止其他信号的辐射干扰
尽量缩短线长以减少寄生电感。因直角走线会产生更大的电磁辐射,避免直角走线连接到器件或走线上。高速电路设计时,更需注意这点。
尽量增大过孔的钻孔直径和焊盘直径,减少过孔的寄生电感。
布线时,让敏感信号线远离 pcb 板边。为避免走线与天线间的串扰,走线需远离天线,天线需放在离
接头较远的位置。布局时,将所有的接头和板边接线放在 pcb 板边一侧, esd 敏感器件放到 pcb 中心。
两层板注意事项
bt chip、 rf、 crystal、 buck 区域,尽量避免于这些区域走线。
两层板走线尽可能走在同一层面。
若走线要贯穿到背层,背面的走线尽可能短或者集中在一起,维持背面敷铜的完整。
电源vdd12 走线可将 epad 尺寸改小到 3.6mm, trace 从 ic package 缝隙中穿过。
其他注意事项
上下层走线时尽可能不要平行重叠的走线
external flash 必须尽量的靠近 ic 摆放


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