RFaxis开始批量生产二代纯CMOS射频前端集成电路RFX2401C
rfaxis第二代纯cmos单芯片/单硅片射频前端集成电路的性能优于基于砷化镓/锗硅的射频前端解决方案
rfaxis开始为智能手机和平板电脑用双模wi-fi/蓝牙、wlan 11a/n/ac、无线音频、zigbee和智能能源/家庭自动化等市场批量生产七种新的cmos射频前端集成电路
专注于为无线连接和蜂窝移动市场提供创新型新一代射频(rf)解决方案的无晶圆半导体公司rfaxis日前宣布，该公司将于2012年第四季度开始其第二代纯cmos射频前端集成电路(rfeic)的批量生产。新解决方案将服务于智能手机和平板电脑、wlan 11a/n/ac、zigbee、无线音频、智能能源和家庭自动化等快速发展的市场。
rfx2401c和rfx2402c是全球首款面向zigbee/ism和802.11b/g/n应用的纯cmos单芯片/单硅片rfeic。在2011年底成功推出这两款集成电路后，rfaxis很快将开始大批量生产并交付其他七种rfeic。这将使rfaxis的供货范围拓展到更广的无线/射频领域。
rfx5000和rfx5000b工作于5ghz 802.11a/n/ac频段，在输出功率为+18dbm时，64qam/ofdm的误差矢量幅度(evm)为3%，包括天线开关和输入/输出阻抗匹配网络的所有损耗。连同高增益(33db)、高效率(低电流模式下，+17dbm时的电流为170ma)、极低的本底evm(<1.5%)、一流的热稳定性和配备简单cmos逻辑的多模式控制，rfx5000和rfx5000b的性能优于当今市面上采用包括砷化镓(gaas)或锗硅(sige)在内的任何现有技术的所有5ghz前端解决方案。此外，rfx5000和rfx5000b解决方案与市面上现有的5ghz技术引脚兼容。
rfx8420和rfx8421针对如今已经成为主流智能手机标准功能的双模wi-fi/bluetooth应用进行了设计和优化。rfx8420和rfx8421采用超紧凑的2.5x2.5x0.45mm qfn封装，并与市面上多种基于gaas的前端模块(fem)引脚兼容，还可提供最先进的射频性能，包括极佳的evm功率和效率。另外，这些rfeic的sp3t开关的总插入损耗为0.8db，且所有的隔直流电容均在芯片上集成。
rfaxis继续拓展其针对zigbee、智能能源/智能家庭、无线传感器网络和通用型ism频段应用的2.4ghz和sub-ghz rfeic产品群。rfx1010是一种超带宽的半瓦rfeic，工作频率为780至960mhz。新款rfx2411和rfx2410为该公司大受欢迎的rfx2401c增加了双天线功能，不会影响到输出功率/效率，也不会增加封装尺寸。
rfaxis董事长兼首席执行官mike neshat表示：“rfaxis已经打破了所有的技术障碍，这些障碍一度使得纯cmos无法超越gaas和sige等现有技术的性能。我们不仅将开始大批量生产这七种新的rfeic—从sub-ghz zigbee到5ghz 11n/ac mimo—还将在不久提供rfx8825 rfeic的试样以支持智能手机和平板电脑的wi-fi设计向双频/双模的过渡、以及我们的rfx240大功率线性功率放大器以进军wi-fi ap/路由器和户外热点市场。通过提供同类最佳的性能、最低的成本、最高的集成度和与我们竞争同行产品引脚兼容的解决方案，rfaxis将‘超越gaas’，让纯cmos技术成为射频前端市场的主流。我们的目标是成为全球首选的射频前端解决方案提供商，在2013年取代所有的同类竞争解决方案。”
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