反激电源MOS D-S之间电压波形产生的原因
反激电源mos d-s之间电压波形产生的原因？
这是一个典型的问题，本质原因就是功率级寄生电容、电感引起的谐振，然而几天后我发现，当时我并没有充分理解问题，这位朋友所要了解的问题其实应细化为：为什么会有两次谐振，谐振产生的模型是怎样的？
如下为反激式电源实现方案，该方案采用初级侧稳压（psr）技术，
q1导通时，变压器初级电感存储能量，输出续流二极管dfly反向偏置，cout输出能量给负载；
q1关断时，变压器初级线圈释放能量，输出续流二极管正向偏置，向输出端提供电能；
开关电源产生振铃的主要原因在于非理想器件存在功率级寄生电容、电感。所谓谐振，即：在mos管开通、关断切换的过程中，寄生电感将能量传递给寄生电容进行充电，充电结束后寄生电容又释放电能给寄生电感储能，如此循环往复。
群友发出的图片中，有2次谐振，
第一次谐振
该谐振产生的时间点在mos管关断的瞬间，等效谐振电路如下：
loop：初次级间的漏电感、初级励磁电感、功率mosfet封装电感之和
coss：mos管寄生电容、线路寄生电容
第二次谐振
这是开关电源dcm模式特有的一个振铃现象，
此处你必须要了解开关电源电感如下两种模式：
ccm：连续导通模式，次级端反射电流在mos通断，变压器线圈换相期间不会到达0；
dcm：断续导通模式，次级端反射电流在mos通断，变压器线圈换相期间到达0。
在dcm模式下，当mos管关断，且在次级反射电流消耗为0之前，次级线圈输出相位的电压高于实际输出电压；当反射电流消耗为0，即次级线圈电流消耗为0时，实际输出电压由输出电容提供，此时次级输出相位的电压等于0，在次级输出相位电压由高于输出电压到等于0的变化过程中，会出现电压的衰减振荡，而该衰减振荡会耦合到初级线圈并加载在mos与线圈连接的开关节点处。
由于该谐振给mos管的寄生电容充电，若mos在此时导通，则可能碰到寄生电容电位被充到较高的时刻，此时寄生电容所充电的能量若被直接导到gnd会造成mos管的导通损耗，针对该问题，诞生出了准谐振技术，即：dcm模式下，初级侧mos在开关节点谐振电压摆幅的谷底附近导通
pmd和莱卡完美契合开发3D传感摄像头
漫谈数字卫星接收机的软件界面设计风
台积电病毒事件敲响产业链上下游警钟
基于FPGA的高清视频采集与显示系统
一文告诉你智能制造的基石是什么
反激电源MOS D-S之间电压波形产生的原因
普强深思智舱大模型全面助力客户驾驭智慧之车
德州仪器(TI)推出高集成可配置数字电源管理控制器
芯片工作的原理是什么
光伏新能源物联网的智慧化运用
国际15号卫星参数表
三星电子和SK海力士暂停向华为供货
人民日报点评：扫码点餐是可选项 不应是唯一选择
如何宅家拥有室内好空气，新风系统必不可少
用石墨烯造出纳米级磁铁可用于医疗电子领域
CAN总线如何防雷？
物联网电流检测：电梯物联网电流传感器
红米Note7Pro评测 相当典型的红米水桶机型
源科固态推rSSD SATA III，世界级的最小尺寸的固态硬盘
新一轮智能机器人革命下 激光制造企业也要不断创新
这是一个典型的问题，本质原因就是功率级寄生电容、电感引起的谐振，然而几天后我发现，当时我并没有充分理解问题，这位朋友所要了解的问题其实应细化为：为什么会有两次谐振，谐振产生的模型是怎样的？
如下为反激式电源实现方案，该方案采用初级侧稳压（psr）技术，
q1导通时，变压器初级电感存储能量，输出续流二极管dfly反向偏置，cout输出能量给负载；
q1关断时，变压器初级线圈释放能量，输出续流二极管正向偏置，向输出端提供电能；
开关电源产生振铃的主要原因在于非理想器件存在功率级寄生电容、电感。所谓谐振，即：在mos管开通、关断切换的过程中，寄生电感将能量传递给寄生电容进行充电，充电结束后寄生电容又释放电能给寄生电感储能，如此循环往复。
群友发出的图片中，有2次谐振，
第一次谐振
该谐振产生的时间点在mos管关断的瞬间，等效谐振电路如下：
loop：初次级间的漏电感、初级励磁电感、功率mosfet封装电感之和
coss：mos管寄生电容、线路寄生电容
第二次谐振
这是开关电源dcm模式特有的一个振铃现象，
此处你必须要了解开关电源电感如下两种模式：
ccm：连续导通模式，次级端反射电流在mos通断，变压器线圈换相期间不会到达0；
dcm：断续导通模式，次级端反射电流在mos通断，变压器线圈换相期间到达0。
在dcm模式下，当mos管关断，且在次级反射电流消耗为0之前，次级线圈输出相位的电压高于实际输出电压；当反射电流消耗为0，即次级线圈电流消耗为0时，实际输出电压由输出电容提供，此时次级输出相位的电压等于0，在次级输出相位电压由高于输出电压到等于0的变化过程中，会出现电压的衰减振荡，而该衰减振荡会耦合到初级线圈并加载在mos与线圈连接的开关节点处。
由于该谐振给mos管的寄生电容充电，若mos在此时导通，则可能碰到寄生电容电位被充到较高的时刻，此时寄生电容所充电的能量若被直接导到gnd会造成mos管的导通损耗，针对该问题，诞生出了准谐振技术，即：dcm模式下，初级侧mos在开关节点谐振电压摆幅的谷底附近导通
pmd和莱卡完美契合开发3D传感摄像头
漫谈数字卫星接收机的软件界面设计风
台积电病毒事件敲响产业链上下游警钟
基于FPGA的高清视频采集与显示系统
一文告诉你智能制造的基石是什么
反激电源MOS D-S之间电压波形产生的原因
普强深思智舱大模型全面助力客户驾驭智慧之车
德州仪器(TI)推出高集成可配置数字电源管理控制器
芯片工作的原理是什么
光伏新能源物联网的智慧化运用
国际15号卫星参数表
三星电子和SK海力士暂停向华为供货
人民日报点评：扫码点餐是可选项 不应是唯一选择
如何宅家拥有室内好空气，新风系统必不可少
用石墨烯造出纳米级磁铁可用于医疗电子领域
CAN总线如何防雷？
物联网电流检测：电梯物联网电流传感器
红米Note7Pro评测 相当典型的红米水桶机型
源科固态推rSSD SATA III，世界级的最小尺寸的固态硬盘
新一轮智能机器人革命下 激光制造企业也要不断创新