TriQuint半导体推出两款封装式低噪声放大器(LNA)增益模块TQP3M9035和TQP3M9038
中国 上海 － 2012年12月11 日 － 技术创新的射频解决方案领导厂商triquint半导体公司（纳斯达克代码：tqnt），推出两款封装式低噪声放大器 （lna） 增益模块－tqp3m9035和tqp3m9038，可在50 mhz至4 ghz极宽带宽范围内提供经济型的高性能。这两款放大器产品具有极高线性度和极低噪声的特点，非常适用于高性能gsm、wcdma、cdma和lte基站应用。
除了在无线基础设施中实现高性能之外，新的tqp3m9035和tqp3m9038还可用于从中继器和塔式安装放大器到通用电路等需要高线性度、宽带低噪声增益模块的各种系统。
新的tqp3m9035具有+37 dbm高三阶交调截取点 （oip3） 和0.66 db极低噪声、16.5 db增益和在1 db增益压缩（p1db）射频输出功率为22.5 db。典型使用包括接收器和发射增益模块放大器、中频增益模块放大器和用于极小口径终端 （vsat） 的中频放大器、以及点对点微波无线电中的第一、第二或第三低噪声放大器。该器件还具有tdd-lte系统要求的集成式数字关断偏压能力。tqp3m9038的oip3为+39.5 dbm、噪声系数为2 db、14.9 db的平坦增益响应（500 mhz - 3.5 ghz带宽范围上偏离只有+/-0.3 db）和+21.6 dbm的p1db射频输出功率。
triquint使用其高性能e-phemt工艺为这两种新器件提供内部匹配。即使器件在极宽频率范围内工作，内部匹配可消除对许多典型外置优化电路的需要。只需要一个外置射频扼流圈以及隔离/旁路电容，操作在一个单一的+5 v电源供电 。tqp3m9035和tqp3m9038的功耗分别只有110 ma和85 ma。两款器件均采用内置有源偏压电路，以便在偏压和温度变化时也能稳定运行。tqp3m9035采用2x2 mm dfn封装，tqp3m9038采用3x3 mm qfn 封装；二者都符合rohs标准的要求。
技术细节：
新tqp3m9035和tqp3m9038目前在产。tqp3m9035可提供完全组装的500 mhz - 4 ghz评估装置。tqp3m9038的装置包括中频版本 （50 - 500 mhz） 和射频版本 （500 mhz - 4 ghz）。
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新的tqp3m9035具有+37 dbm高三阶交调截取点 （oip3） 和0.66 db极低噪声、16.5 db增益和在1 db增益压缩（p1db）射频输出功率为22.5 db。典型使用包括接收器和发射增益模块放大器、中频增益模块放大器和用于极小口径终端 （vsat） 的中频放大器、以及点对点微波无线电中的第一、第二或第三低噪声放大器。该器件还具有tdd-lte系统要求的集成式数字关断偏压能力。tqp3m9038的oip3为+39.5 dbm、噪声系数为2 db、14.9 db的平坦增益响应（500 mhz - 3.5 ghz带宽范围上偏离只有+/-0.3 db）和+21.6 dbm的p1db射频输出功率。
triquint使用其高性能e-phemt工艺为这两种新器件提供内部匹配。即使器件在极宽频率范围内工作，内部匹配可消除对许多典型外置优化电路的需要。只需要一个外置射频扼流圈以及隔离/旁路电容，操作在一个单一的+5 v电源供电 。tqp3m9035和tqp3m9038的功耗分别只有110 ma和85 ma。两款器件均采用内置有源偏压电路，以便在偏压和温度变化时也能稳定运行。tqp3m9035采用2x2 mm dfn封装，tqp3m9038采用3x3 mm qfn 封装；二者都符合rohs标准的要求。
技术细节：
新tqp3m9035和tqp3m9038目前在产。tqp3m9035可提供完全组装的500 mhz - 4 ghz评估装置。tqp3m9038的装置包括中频版本 （50 - 500 mhz） 和射频版本 （500 mhz - 4 ghz）。
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