NP16P10G(100V P沟道增强模式MOSFET)
1.描述
np16p10g采用先进的沟槽技术并设计为低门极提供优秀的rds（on）冲锋。它可以用于广泛的应用。
2.一般特征
* vds=-100v，id=-16a
* rds(on)（典型值）=153 mω@vgs=-10v
* rds(on)（典型值）=180 mω@vgs=-4.5v
* 高功率和电流处理能力
* 获得无铅产品
* 表面贴装封装
3.应用程序
* 负荷开关
4.包装
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5.示意图
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