英飞凌推出全新射频功率LDMOS晶体管
英飞凌科技推出用于商业航空电子设备和雷达系统的脉冲应用和其他类型工业放大器的高功率晶体管。基于全新的50v ldmos工艺技术，全新推出的器件具备高能效、适用于小型化系统设计的高功率密度和称雄业界的可靠性。
ptva家族的首批产品包括两套成对的驱动和输出晶体管——具备400w和500w输出功率，适用于l频段和uhf频段雷达系统——和一个适用于965 mhz 至1215 mhz商用航空电子设备频率的应用的1000w器件。每个器件最低都能承受10:1 vswr(电压驻波比)负载失配，其可靠性是同类器件的两倍。
英飞凌科技副总裁兼射频功率业务总经理gerhard wolf指出：“全新推出的这个系列器件，立足于我们骄人的质量记录和出类拔萃的射频功率性能，能够满足能效不断提高、更加经济实惠的系统设计的各种要求。依托50v ldmos工艺，航空电子设备和雷达工程师如今在设计轻型可靠的紧凑型系统时可达成其功率输出目标。”
ptva系列器件的出色可靠性，有助于提高系统在高噪声信号环境下的性能，相对于其他替代器件而言可降低电路设计的复杂度，从而降低系统总成本，并改进系统可靠性。低至0.20摄氏度/瓦的热阻还有助于实现更出色的热管理，而采用小型散热器可进一步增强可靠性，同时降低成本。
以下是ptva系列器件在三个工作频率范围(在p3db下测量)内的典型性能汇总：
●390 mhz 至450 mhz：ptva035002ev具备17.5 db的增益和65%的能效，输出功率可达500w。配对驱动ptva030121ea具备22 db增益和73%能效，输出功率为14w(50v，具备12微秒10%占空比脉冲);
●1200 mhz至1400 mhz：ptva123501ec具备13 db增益和52%的能效，输出功率达400w。配对驱动ptva120251ea具备14.5 db增益和58%能效，输出功率为38w(50v，具备100微秒10%占空比脉冲)
●965 mhz至1215 mhz：ptva101k02ev具备15.5 db增益和60%的能效，输出功率为1100w(50v，具备100微秒10%占空比脉冲)。
所有器件采用符合rohs标准的空腔陶瓷封装。
供货情况
雷达频段ptva晶体管样品现已开始供货。uhf频段器件正在生产当中。l频段器件预计今年夏季开始生产。航空电子器件预计本季度提供样品，今年第四季度进行生产。
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英飞凌科技副总裁兼射频功率业务总经理gerhard wolf指出：“全新推出的这个系列器件，立足于我们骄人的质量记录和出类拔萃的射频功率性能，能够满足能效不断提高、更加经济实惠的系统设计的各种要求。依托50v ldmos工艺，航空电子设备和雷达工程师如今在设计轻型可靠的紧凑型系统时可达成其功率输出目标。”
ptva系列器件的出色可靠性，有助于提高系统在高噪声信号环境下的性能，相对于其他替代器件而言可降低电路设计的复杂度，从而降低系统总成本，并改进系统可靠性。低至0.20摄氏度/瓦的热阻还有助于实现更出色的热管理，而采用小型散热器可进一步增强可靠性，同时降低成本。
以下是ptva系列器件在三个工作频率范围(在p3db下测量)内的典型性能汇总：
●390 mhz 至450 mhz：ptva035002ev具备17.5 db的增益和65%的能效，输出功率可达500w。配对驱动ptva030121ea具备22 db增益和73%能效，输出功率为14w(50v，具备12微秒10%占空比脉冲);
●1200 mhz至1400 mhz：ptva123501ec具备13 db增益和52%的能效，输出功率达400w。配对驱动ptva120251ea具备14.5 db增益和58%能效，输出功率为38w(50v，具备100微秒10%占空比脉冲)
●965 mhz至1215 mhz：ptva101k02ev具备15.5 db增益和60%的能效，输出功率为1100w(50v，具备100微秒10%占空比脉冲)。
所有器件采用符合rohs标准的空腔陶瓷封装。
供货情况
雷达频段ptva晶体管样品现已开始供货。uhf频段器件正在生产当中。l频段器件预计今年夏季开始生产。航空电子器件预计本季度提供样品，今年第四季度进行生产。
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