Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性
器件采用mps结构设计，额定电流4 a~ 40 a，正向压降、电容电荷和反向漏电流低
美国 宾夕法尼亚 malvern、中国 上海 — 2023年5月23日 — 日前，vishay intertechnology, inc.（nyse 股市代号：vsh）宣布，推出17款新型第三代650 v 碳化硅（sic）肖特基二极管。vishay semiconductors器件采用混合pin schottky（mps）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，正向压降、电容电荷和反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。
日前发布的新一代sic二极管包括4a至40a器件，采用to-22oac 2l和to-247ad 3l 插件封装和d2pak 2l（to-263ab 2l）表面贴装封装。由于采用mps结构，器件正向压降比上一代解决方案低0.3v，正向压降与电容电荷乘积，即电源能效重要优值系数（fom），相比上一代解决方案降低17%。
与接近的竞品解决方案相比，二极管室温下典型反向漏电流低30%，高温下低70%。因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
与击穿电压相当的硅二极管相比，sic二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管反向恢复时间几乎不受温度变化的影响，可在+175 °c高温下工作，不会因开关损耗造成能效变化。
器件典型应用包括发电和勘探应用领域fbps和llc转换器中的ac/dc功率因数校正（pfc）和 dc/dc超高频输出整流。器件具有高可靠性，符合rohs标准，无卤素，通过2000小时高温反偏（htrb）测试和2000次热循环温度循环测试，测试时间和循环次数是aec-q101规定的两倍。
产品编号 if(av) (a) ifsm (a) if 下vf (v) qc (nc) 配置 封装
vs-3c04et07s2l-m3 4 29 1.5 12 单 d2pak 2l
vs-3c06et07s2l-m3 6 42 1.5 17 单 d2pak 2l
vs-3c08et07s2l-m3 8 54 1.5 22 单 d2pak 2l
vs-3c10et07s2l-m3 10 60 1.46 29 单 d2pak 2l
vs-3c12et07s2l-m3 12 83 1.5 34 单 d2pak 2l
vs-3c16et07s2l-m3 16 104 1.5 44 单 d2pak 2l
vs-3c20et07s2l-m3 20 110 1.5 53 单 d2pak 2l
vs-3c04et07t-m3 4 29 1.5 12 单 to-220ac 2l
vs-3c06et07t-m3 6 42 1.5 17 单 to-220ac 2l
vs-3c08et07t-m3 8 54 1.5 22 单 to-220ac 2l
vs-3c10et07t-m3 10 60 1.46 29 单 to-220ac 2l
vs-3c12et07t-m3 12 83 1.5 34 单 to-220ac 2l
vs-3c16et07t-m3 16 104 1.5 44 单 to-220ac 2l
vs-3c20et07t-m3 20 110 1.5 53 单 to-220ac 2l
vs-3c16cp07l-m3 2 x 8 54 1.5 22 共阴极 to-247ad 3l
vs-3c20cp07l-m3 2 x 10 60 1.46 29 共阴极 to-247ad 3l
vs-3c40cp07l-m3 2 x 20 110 1.5 53 共阴极 to-247ad 3l
新型sic二极管现可提供样品并已实现量产，供货周期为八周。
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美国 宾夕法尼亚 malvern、中国 上海 — 2023年5月23日 — 日前，vishay intertechnology, inc.（nyse 股市代号：vsh）宣布，推出17款新型第三代650 v 碳化硅（sic）肖特基二极管。vishay semiconductors器件采用混合pin schottky（mps）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，正向压降、电容电荷和反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。
日前发布的新一代sic二极管包括4a至40a器件，采用to-22oac 2l和to-247ad 3l 插件封装和d2pak 2l（to-263ab 2l）表面贴装封装。由于采用mps结构，器件正向压降比上一代解决方案低0.3v，正向压降与电容电荷乘积，即电源能效重要优值系数（fom），相比上一代解决方案降低17%。
与接近的竞品解决方案相比，二极管室温下典型反向漏电流低30%，高温下低70%。因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
与击穿电压相当的硅二极管相比，sic二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管反向恢复时间几乎不受温度变化的影响，可在+175 °c高温下工作，不会因开关损耗造成能效变化。
器件典型应用包括发电和勘探应用领域fbps和llc转换器中的ac/dc功率因数校正（pfc）和 dc/dc超高频输出整流。器件具有高可靠性，符合rohs标准，无卤素，通过2000小时高温反偏（htrb）测试和2000次热循环温度循环测试，测试时间和循环次数是aec-q101规定的两倍。
产品编号 if(av) (a) ifsm (a) if 下vf (v) qc (nc) 配置 封装
vs-3c04et07s2l-m3 4 29 1.5 12 单 d2pak 2l
vs-3c06et07s2l-m3 6 42 1.5 17 单 d2pak 2l
vs-3c08et07s2l-m3 8 54 1.5 22 单 d2pak 2l
vs-3c10et07s2l-m3 10 60 1.46 29 单 d2pak 2l
vs-3c12et07s2l-m3 12 83 1.5 34 单 d2pak 2l
vs-3c16et07s2l-m3 16 104 1.5 44 单 d2pak 2l
vs-3c20et07s2l-m3 20 110 1.5 53 单 d2pak 2l
vs-3c04et07t-m3 4 29 1.5 12 单 to-220ac 2l
vs-3c06et07t-m3 6 42 1.5 17 单 to-220ac 2l
vs-3c08et07t-m3 8 54 1.5 22 单 to-220ac 2l
vs-3c10et07t-m3 10 60 1.46 29 单 to-220ac 2l
vs-3c12et07t-m3 12 83 1.5 34 单 to-220ac 2l
vs-3c16et07t-m3 16 104 1.5 44 单 to-220ac 2l
vs-3c20et07t-m3 20 110 1.5 53 单 to-220ac 2l
vs-3c16cp07l-m3 2 x 8 54 1.5 22 共阴极 to-247ad 3l
vs-3c20cp07l-m3 2 x 10 60 1.46 29 共阴极 to-247ad 3l
vs-3c40cp07l-m3 2 x 20 110 1.5 53 共阴极 to-247ad 3l
新型sic二极管现可提供样品并已实现量产，供货周期为八周。
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队列与C++中的queue详解
ATOS比例控制阀放大器QVHMZO-A介绍
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