安森美半导体推出IGBT门极驱动器 提供同类最佳的电流性能和保护特性
展示针对强固电源应用的混合igbt和广泛的igbt驱动器，提供同类最佳的电流性能和保护特性。
推动高能效创新的安森美半导体（on semiconductor，美国纳斯达克上市代号：on），将于5月7日开始的德国纽伦堡欧洲pcim 2019展会推出新的基于碳化硅（sic）的混合igbt和相关的隔离型大电流igbt门极驱动器。
afghl50t65sqdc采用最新的场截止igbt和sic肖特基二极管技术，提供低导通损耗和开关损耗，用于多方面的电源应用，包括那些将得益于更低反向恢复损耗的应用，如基于图腾柱的无桥功率因数校正（pfc）和逆变器。
该器件将硅基igbt与sic肖特基势垒二极管共同封装，从而在硅基方案的较低性能和完全基于sic方案的较高成本之间提供出色的权衡。该高性能器件额定工作电压650 v，能够处理高达100 a@25 ℃ （50 a@100 ℃）的连续电流，以及高达200 a的脉冲电流。对于需要更大电流能力的系统，正温度系数令并行工作更简便。
现代电动汽车的应用不仅利用能源行驶，在某些情况下还储存能量，以便在高峰时期为家庭供电。这需要一个双向充电器，必须有高的开关效率，以确保转换时不浪费能量。在这种情况下，集成外部sic二极管的igbt比mosfet方案提供更高能效，因为没有相关的正向或反向恢复损耗。
afghl50t65sqdc可在高达175℃ 的结温下工作，适用于包括汽车在内的最严苛的电源应用。它完全符合aec-q 101认证，进一步证明其适用于电动汽车（ev）和混合动力汽车（hev） 车载充电机。
除了新的混合igbt，安森美半导体还将在pcim推出并展示一系列新的隔离型大电流igbt驱动器。ncd（v）57000系列针对多种电源应用，包括太阳能逆变器、电机驱动、不间断电源系统（ups）和汽车应用如动力总成和ptc加热器。
ncd（v）57000系列是大电流单通道igbt驱动器，内置伽伐尼安全隔离设计，以在要求高可靠性的电源应用中提供高能效工作。该器件具有输入互补、漏极开路故障和输出准备就绪、有源米勒钳位、精确欠压锁定（uvlo）、软关断去饱和（desat）保护、负门极电压引脚和单独的高、低驱动输出等特点，为系统设计提供灵活性。
该器件的伽伐尼隔离额定值大于5 kvrms，满足ul 1577的要求，工作电压高于1200 v，保证8 mm爬电距离（输入》输出）以满足强化的安全隔离要求。ncd（v）57000器件可提供7.8 a驱动电流和7.1 a汲电流能力，是某些竞争器件的三倍多。更重要的是，它们还具有在米勒平坦区工作时更大的电流能力，同时结合其先进的保护特性，使它们成为同类最佳的igbt驱动器。
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afghl50t65sqdc采用最新的场截止igbt和sic肖特基二极管技术，提供低导通损耗和开关损耗，用于多方面的电源应用，包括那些将得益于更低反向恢复损耗的应用，如基于图腾柱的无桥功率因数校正（pfc）和逆变器。
该器件将硅基igbt与sic肖特基势垒二极管共同封装，从而在硅基方案的较低性能和完全基于sic方案的较高成本之间提供出色的权衡。该高性能器件额定工作电压650 v，能够处理高达100 a@25 ℃ （50 a@100 ℃）的连续电流，以及高达200 a的脉冲电流。对于需要更大电流能力的系统，正温度系数令并行工作更简便。
现代电动汽车的应用不仅利用能源行驶，在某些情况下还储存能量，以便在高峰时期为家庭供电。这需要一个双向充电器，必须有高的开关效率，以确保转换时不浪费能量。在这种情况下，集成外部sic二极管的igbt比mosfet方案提供更高能效，因为没有相关的正向或反向恢复损耗。
afghl50t65sqdc可在高达175℃ 的结温下工作，适用于包括汽车在内的最严苛的电源应用。它完全符合aec-q 101认证，进一步证明其适用于电动汽车（ev）和混合动力汽车（hev） 车载充电机。
除了新的混合igbt，安森美半导体还将在pcim推出并展示一系列新的隔离型大电流igbt驱动器。ncd（v）57000系列针对多种电源应用，包括太阳能逆变器、电机驱动、不间断电源系统（ups）和汽车应用如动力总成和ptc加热器。
ncd（v）57000系列是大电流单通道igbt驱动器，内置伽伐尼安全隔离设计，以在要求高可靠性的电源应用中提供高能效工作。该器件具有输入互补、漏极开路故障和输出准备就绪、有源米勒钳位、精确欠压锁定（uvlo）、软关断去饱和（desat）保护、负门极电压引脚和单独的高、低驱动输出等特点，为系统设计提供灵活性。
该器件的伽伐尼隔离额定值大于5 kvrms，满足ul 1577的要求，工作电压高于1200 v，保证8 mm爬电距离（输入》输出）以满足强化的安全隔离要求。ncd（v）57000器件可提供7.8 a驱动电流和7.1 a汲电流能力，是某些竞争器件的三倍多。更重要的是，它们还具有在米勒平坦区工作时更大的电流能力，同时结合其先进的保护特性，使它们成为同类最佳的igbt驱动器。
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