瑞萨推出第三代车载SJ-MOSFET，同时降低导通电阻和EMI
瑞萨电子开发出同时降低了导通电阻和emi（电磁噪声）的30～40v耐压车载用超结mosfet（sj-mosfet），并在“ispsd 2013（日本电气学会主办，2013年5月26～30日在石川县金泽市举行）”上发布了技术详情（演讲序号4－2）。通过在水平方向和垂直方向两个方向上缩小sj-mosfet栅极周边的尺寸，实现了出色的特性。这是该公司的第三代车载sj-mosfet，计划1～2年内开始量产。
用于驱动车载马达等、电流超过100a的功率mosfet不仅要减小开关损失，还要降低导通电阻和栅极电荷量。因此，瑞萨首先缩小了超结构造水平方向的尺寸（p/n层的间距）和垂直方向的尺寸（耐压层的厚度），从而实现了低导通电阻。p/n层的最小间距为1.0μm，比原来缩小了30％。但这种构造的缺点是栅极电荷量容易增加。因此，瑞萨电子通过加厚栅极绝缘膜抑制了栅极电荷量的增加。
大容量功率mosfet面临的另一个技术课题是如何降低体二极管恢复时的电流过冲。在低端mosfet电流增大而高端mosfet电流减小的过程中，后者降到负数后会重新变成正数。这种电流过冲会引起emi。此次瑞萨分析了恢复时剩余空穴的状态，并由此减小了p型基极的杂质添加量，从而实现了较小的电流过冲恢复（软恢复）。表示电流过冲的指标——亚阈值系数比原来改善了20％以上。
此次试制的功率mosfet电流为150a，介电击穿电压为32.8v。导通电阻值为4.75mωmm2，在耐压30v级的功率mosfet中属于业内最佳水平。
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