全球闪存芯片竞争格局分析
时至今日，在全球手机芯片市场，华为、联发科两家中国企业顺利抢下近半数份额，拥有了一定的话语权。
但在全球闪存芯片领域，中国却仍被美日韩三国企业垄断。
韩美日长期垄断
日前，前瞻产业研究院公布了一份调查报告，根据报告中，2020年全球nand闪存供给区域分布图显示，韩国占比为44%，位列全球第一。
在闪存行业，多年来一直是韩国企业占大头，例如三星、sk海力士等，都是能够垄断一方的头部供应商。
在韩国之后，美国占比为33%。英特尔、美光科技和西部数据，都是美国知名nand闪存领先企业。
第三名则是日本，而中国无缘前三。更值得一提的是，韩、美、日三国就占据全球闪存芯片市场高达91%的份额，留给中国的只剩2%。
资料显示，半导体存储的发展其实只有数十年时间，nand闪存业链目前可分为nand flash存储芯片、存储控制器芯片和存储模组三大环节。
目前我国在存储芯片领域没有太多话语权，但国产厂商一直在坚持追赶国际大厂。例如nand flash存储芯片领域的长江存储，还有存储控制芯片领域的华为、国科微等等。
中国企业突出重围
其中，长江存储已经成功进入全球市场，虽说市场占有率寥寥无几，但终归是全球范围内有希望的一股中国力量。
前瞻产业研究院整理的一组图表显示，在2018年到2021年间，长江存储用短短几年的时间，从32层推进到128层，中间还直接越过96层。
如此激进的跨越令人胆战心惊，好在长江存储于2020年第一季度，将128层3d nand样品移送给存储控制器厂商。并于第三季度顺利进入投片、年底实现量产。
令人骄傲的是，长江存储128层3d nand的发布时间，追平了sk海力士、美观科技等巨头。这意味着，该公司用短短数年时间，走完了海外大厂十几年才走完的路。
自研架构成杀手锏
而长江存储之所以能追上国际巨头，主要得益于该公司自主研发的xtacking架构。
xtacking架构，会令存储单元和逻辑电路在两片晶圆上分别加工，从而将研发周期缩短三个月、生产周期缩短20%。
重要的是，xtacking架构还能够令64层的3d nand闪存，在存储密度上与其他厂商96层的闪存相差无几。
由此可见，xtacking架构已然成为长江存储弯道超车的利器。利用xtacking架构进行不断升级，长江存储有望在较短时间内跻身行业前列。
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