应用材料公司推出兆位元时代的突破性蚀刻技术
应用材料公司推出先进的蚀刻技术 ─ applied centura avatar介电层蚀刻系统，这项突破性的系统是解决建立3d记忆体架构的严峻挑战；3d记忆体架构可提供高密度兆位元储存容量，为未来资料密集型行动装置所必需。
应用材料公司副总裁暨蚀刻事业群总经理琶布．若杰（prabu raja）博士表示：「3d记忆体结构必须在复杂的多层材料堆叠中进行深度的特徵结构蚀刻，avatar系统利用我们在电浆领域的领导技术，解决3d记忆体结构的製程挑战。客户对于新系统的突破性功能非常感兴趣，我们已售出超过30组系统给多家客户，用于各项重要应用，其中包括未来记忆体晶片的试产。」
avatar系统为全新设计，可在3d nand记忆体阵列进行既深且窄的蚀刻，这些3d阵列是令人振奋的新型快闪记忆体装置，有多达64层垂直建立的记忆单元，可在小面积内建立极高的位元密度。
avatar系统可在复合薄膜堆叠层中进行孔洞性蚀刻及沟槽性蚀刻，深宽比可高达80:1，以形状比例来形容的话，美国华盛顿纪念碑的深宽比是10:1高（台北101大楼约9:1）。此外，该系统是第一款具备能同时蚀刻深度变化落差极大的特徵结构功能的系统，对于製造连接外界与各层记忆单元的「阶梯式」接触结构非常重要。
在7月10日到12日的美西国际半导体展2012展期间，应用材料公司将展出avatar系统等数种全新晶片製造技术。
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