三星电子批量生产的第六代V-NAND 具有业界快速的数据传输速率
三星电子宣布已开始批量生产250千兆字节（gb）sata固态硬盘（ssd），该硬盘集成了该公司的第6代（1xx层）256千兆位（gb）三位v- nand。该公司已将ssd交付给全球pc制造商。
新款ssd基于业界首款超过100层的第六代v-nand。它具有业界快速的数据传输速率。
该公司称其新的v-nand通过突破目前的电池堆叠限制，将3d存储器提升到了新的高度。新产品为之前的9x层单层结构增加了大约40％的单元。该公司通过构建由136层组成的导电模具叠层实现了这一目标，然后从上到下垂直穿透圆柱形孔，形成均匀的3d电荷陷阱闪光（ctf）单元。该公司称这种方法为“通道孔蚀刻”技术。
随着每个单元区域中的模具堆叠的高度增加，nand闪存芯片往往更容易受到错误和读取延迟的影响。三星表示，它通过采用速度优化的电路设计克服了这些限制。
该公司表示，这种速度优化设计使其能够提供超过300层的下一代v-nand解决方案，只需安装三个电流堆即可构建，而不会影响芯片性能或可靠性。
利用高速和低功耗特性，三星计划将其3d v-nand的范围扩展到下一代移动设备和企业服务器等领域。它还针对高可靠性至关重要的汽车市场。
从企业的250 gb ssd开始，三星电子计划在今年下半年提供512 gb三位v-nand ssd和eufs。该公司还计划从明年开始在其pyeongtaek（韩国）园区扩大更高速和更大容量的第六代v-nand解决方案的生产，以更好地满足全球客户的需求。
早在7月份，三星电子就大规模生产了世界上第一款12gb移动dram，这些移动dram实现了有史以来最快的速度和最大的容量。
三星电子是存储器半导体市场的主导者。市场研究公司ihs markit表示，它在今年第一季度的dram市场份额为40.6％，nand市场份额为34.1％，排名第一。三星在dram市场上与sk海力士（29.8％）以及东芝（18.1％）在nand市场上的差距很大。
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随着每个单元区域中的模具堆叠的高度增加，nand闪存芯片往往更容易受到错误和读取延迟的影响。三星表示，它通过采用速度优化的电路设计克服了这些限制。
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