N沟MOS管与P沟MOS管的区别，助厂家更好选择MOS管！
想必电路设计的设计师在选择mos管是都有考虑过一个问题，是该选择p沟mos管还是n沟mos管？作为厂家而言，一定是想要自己的产品能够以更低的价格来竞争其他的商家，也需要反复推选。那到底该怎么挑选呢？具有30年经验的mos管厂家这就为大家分享。
区别一：导通特性
n沟mos的特性，vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4v或10v就可以了。而pmos的特性，vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接vcc时的情况（高端驱动）。
区别二：mos开关管损失
不管是n沟mos还是p沟mos，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。而选择导通电阻小的mos管会减小导通损耗，且现在的小功率mos管导通电阻一般在几十毫欧左右，也有几毫欧。除此之外，mos在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的，这是有一个下降的过程，流过的电流也有一个上升的过程。
在这段时间内，mos管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大，所以缩短开关时间，减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。
区别三：mos管使用
p沟mos管的空穴迁移率低，因而在mos管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，pmos管的跨导小于n沟mos管。此外，p沟mos管阈值电压的绝对值偏高，要求有较高的工作电压。pmos因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在n沟mos管出现之后，多数已为nmos管所取代。只是，因p沟mos管工艺简单，价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用pmos电路技术。
好了，今天飞虹mos管厂家的分享就想到这里了，更多资讯百度搜索“广州mos管厂家”即可找到我们。广州飞虹电子产品应用经验30年，主要研发、生产、经营：场效应管、三极管等半导体器件，涉及产品种类多样、且多年为国内外一流品牌代工oem，专注大功率mos管制造15年，具备了国际品质的生产技艺，但却只需要国内价格。
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不管是n沟mos还是p沟mos，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。而选择导通电阻小的mos管会减小导通损耗，且现在的小功率mos管导通电阻一般在几十毫欧左右，也有几毫欧。除此之外，mos在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的，这是有一个下降的过程，流过的电流也有一个上升的过程。
在这段时间内，mos管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大，所以缩短开关时间，减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。
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p沟mos管的空穴迁移率低，因而在mos管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，pmos管的跨导小于n沟mos管。此外，p沟mos管阈值电压的绝对值偏高，要求有较高的工作电压。pmos因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在n沟mos管出现之后，多数已为nmos管所取代。只是，因p沟mos管工艺简单，价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用pmos电路技术。
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