2020年9月29日,德国慕尼黑讯】继推出采用econodual™3和easy封装的trenchstop igbt7技术之后,英飞凌科技股份公司(fse: ifx / otcqx: ifnny)近日又推出业界领先的、基于分立式封装,即采用电压为650 v的to-247封装的trenchstop igbt7技术。全新trenchstop产品系列由20 a、30 a、40 a、50 a和75 a这些电流等级组成。它既能用于取代前代技术,也能与前代技术并行使用。该版本的igbt7尤其适用于工业电机驱动、功率因数校正、光伏发电和不间断电源等应用。
由于采用新型微沟槽技术,trenchstop igbt7芯片的静态损耗大大降低。在相同的电流等级下,trenchstop igbt7芯片的通态电压可以降低10%。这使得应用中的损耗大幅降低,尤其能使通常在中等开关频率下运行的工业驱动的损耗大大降低。igbt t7技术的饱和电压(v ce(sat))很低,并带有发射极控制的第七代(ec7)二极管,该二极管的正向压降(v f)可减小150 mv,同时还能提高反向恢复软度。
trenchstop igbt7器件具有优异的可控性和卓越的抗电磁干扰性能。它很容易通过调整来达到特定于应用的最佳dv/dt和开关损耗。650v trenchstop igbt7拥有应用所需的抗短路能力。此外,它还通过了基于jedec标准的hv-h3trb(高压高湿高温反偏)试验,证明该器件在常见的工业应用的高湿环境中具有良好的耐用性。
供货情况
650 v trenchstop igbt7分立式器件现已接受订购。
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