深入LDO学习
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工程问题
1 ldo 输出电源电平低于设置值
2 电源芯片欠压保护电路导致上电时序不满足设计的要求
原理/layout图
优点
缺点
原理
选型
热计算
计算 ldo 工作时的结温
工程问题 1 ldo 输出电源电平低于设置值 某款ldo芯片在3.3v转2.5时，输出了2.3v，忽略了dropout（压差的要求），此款为1v压差
应选取低压差的ldo器件。
2 电源芯片欠压保护电路导 致上电时序不满足设计的要求 虽然1.8v先于1.2v上电，但1.2v却延时了将近2s才上电。由于1.8v导通后，电压被容性负载拉低，1.8v-s的电压被迅速拉低，使得流向ldo的电压变得很小， 触发了欠压保护，直到充电完毕，ldo才开启。
需要在1.8v的mos的栅极加个电容，减缓mos导通速度。
原理/layout图 可以看出，左边的电容正极紧挨vin，且形成的地环路明显小于右边。同时注意，ldo和电容的地要在同一层。
有些ldo是6脚，多了sense过流感应脚，仅在大电流场合下使用，大于5a，一般小电流
不用。
但sense 功能会导致电源芯片输出电压不稳定。
(由于相邻层高速信号高速翻转导致耦合进去，纹波大，数据传输时出现误码）
pcb:由于回流路径经过，所以r5与r6也需要粗印制线连接。
sense只是提供电流感应的功能，只需要考虑低噪声。
不需要考虑大电流问题，因此用普通信号线连接，且远离干扰源。
优点 对低频噪声的抑制效果明显，高速瞬态响应。
能够衰减开关模式电源产生的电压纹波。
电压输入与输出无延时。
没有电感。
缺点 输入与输出压差过大不适用。
压差！负载电流越大，压差越大，工作温度越高，压差越大。
散热功耗（功率损耗）：（输入-输出电压）乘电流。
故只能输出小功率，工作效率低， 能耗消耗大，电流输出小。
最大功耗不能超过3w,否则散热有问题，且ldo可能会损坏。
ldo的输出电容的esr不能过小，不然负反馈很难工作。
原理 由差分放大器与工作在线性区的三极管组成。一般双极稳压器耐压高且消耗电流偏大，
cmos稳压器耐压偏低但消耗电流低，工作在线性区，当输出电压变小，反馈电压也变小
差值变大，输出电压随之变大。
想要更改启动时间，变更fb的分压电阻 ？
1. 并联了前馈电容cff，降低了误差放大器的噪声增益。
负反馈使得ldo的输出噪声不随输出电压上升而大幅增加。
负反馈分析：
内部零点补偿网络：cff和r1
形成了一个零点：zff=1/(2π×r1×cff)，该零点增加了正相移
也形成了一个极点：pff=1/(2π×r1//r2×cff)
传统ldo的反馈回路的环路增益曲线由于输出电阻较大，与负载电容作用后会产生
一个低频极点p1，这个低频极点带来的附加相移使得反馈回路不稳定
用外部钽电容（100mω量级）补偿后，由于钽电容拥有较高的esr（如1ohm）
使得环路曲线中出现一个零点,高esr将零点移至一个较低的频率
这个零点带来的反相相移的环路增益将为1
抵消掉之前低频极点带来的附加相移，使得反馈回路稳定
但esr不能过大，不利于瞬态特性
2.并联了输出电容cout,esr补偿
因为ldo属于晶体管型，输出阻抗高，所以需要并联减小阻抗
利用坦电容特定的esr和电容值可以为ldo进行补偿。
采用mos管后，将不需要特定的esr来中和附加相移 。
选型 压差
ldo顾名思义，要求压差要低
vout≈vin-vdrop
功耗
（输出电压-输入电压）*电流
最大输出效率
输入电流等于输出电流加上静态功耗iq*vin
电源纹波抑制比（psrr）
越大越好，代表抑制输入纹波的能力越强，一般给出的是1khz下的值。
热计算 计算 ldo 工作时的结温 输出电压：1.8v，输入电压：3.15与3.45v
电流变化从0-500ma，环境温度50℃，热阻28℃/w，求其结温？
1 求出动态功耗与静态功耗
静态：（漏电流*输入电压）=15ma*3.45v
动态：（3.45-3.15）*500ma
2 结温=总功耗*热阻系数+环境温度
=（输入电压-输出电压）*电流*热阻+环境温度
大华股份：大部分物料已基本实现国产化本土化
高压电容补偿就是无功补偿或者说提升功率因数
当我们在充电器的输出端接入电池时会发生什么？
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TD-SCDMA系统的技术特点及功放容量的估算与设计解决方案
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“两会”4G受热议 论光纤光缆行业机会
可穿戴式设计中实现超低功耗的3大要诀
荣耀手环6正式发布：血氧监测技术再度升级
IPv6部署带来了哪一些现实问题
可不可以把晶振放在PUB边缘？
医疗软件提升效率,未来市场规模仍保持高速增长
无线充电器CE认证,433无线产品欧洲RED认证
适合自制的集成电路功放电路原理图
移动网络接口介绍
你可能不知道的LTE载波聚合
基于RS-485端口的防护设计方案
关于MATLAB和Simulink硬件支持包的作用和应用
工程问题
1 ldo 输出电源电平低于设置值
2 电源芯片欠压保护电路导致上电时序不满足设计的要求
原理/layout图
优点
缺点
原理
选型
热计算
计算 ldo 工作时的结温
工程问题 1 ldo 输出电源电平低于设置值 某款ldo芯片在3.3v转2.5时，输出了2.3v，忽略了dropout（压差的要求），此款为1v压差
应选取低压差的ldo器件。
2 电源芯片欠压保护电路导 致上电时序不满足设计的要求 虽然1.8v先于1.2v上电，但1.2v却延时了将近2s才上电。由于1.8v导通后，电压被容性负载拉低，1.8v-s的电压被迅速拉低，使得流向ldo的电压变得很小， 触发了欠压保护，直到充电完毕，ldo才开启。
需要在1.8v的mos的栅极加个电容，减缓mos导通速度。
原理/layout图 可以看出，左边的电容正极紧挨vin，且形成的地环路明显小于右边。同时注意，ldo和电容的地要在同一层。
有些ldo是6脚，多了sense过流感应脚，仅在大电流场合下使用，大于5a，一般小电流
不用。
但sense 功能会导致电源芯片输出电压不稳定。
(由于相邻层高速信号高速翻转导致耦合进去，纹波大，数据传输时出现误码）
pcb:由于回流路径经过，所以r5与r6也需要粗印制线连接。
sense只是提供电流感应的功能，只需要考虑低噪声。
不需要考虑大电流问题，因此用普通信号线连接，且远离干扰源。
优点 对低频噪声的抑制效果明显，高速瞬态响应。
能够衰减开关模式电源产生的电压纹波。
电压输入与输出无延时。
没有电感。
缺点 输入与输出压差过大不适用。
压差！负载电流越大，压差越大，工作温度越高，压差越大。
散热功耗（功率损耗）：（输入-输出电压）乘电流。
故只能输出小功率，工作效率低， 能耗消耗大，电流输出小。
最大功耗不能超过3w,否则散热有问题，且ldo可能会损坏。
ldo的输出电容的esr不能过小，不然负反馈很难工作。
原理 由差分放大器与工作在线性区的三极管组成。一般双极稳压器耐压高且消耗电流偏大，
cmos稳压器耐压偏低但消耗电流低，工作在线性区，当输出电压变小，反馈电压也变小
差值变大，输出电压随之变大。
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1. 并联了前馈电容cff，降低了误差放大器的噪声增益。
负反馈使得ldo的输出噪声不随输出电压上升而大幅增加。
负反馈分析：
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形成了一个零点：zff=1/(2π×r1×cff)，该零点增加了正相移
也形成了一个极点：pff=1/(2π×r1//r2×cff)
传统ldo的反馈回路的环路增益曲线由于输出电阻较大，与负载电容作用后会产生
一个低频极点p1，这个低频极点带来的附加相移使得反馈回路不稳定
用外部钽电容（100mω量级）补偿后，由于钽电容拥有较高的esr（如1ohm）
使得环路曲线中出现一个零点,高esr将零点移至一个较低的频率
这个零点带来的反相相移的环路增益将为1
抵消掉之前低频极点带来的附加相移，使得反馈回路稳定
但esr不能过大，不利于瞬态特性
2.并联了输出电容cout,esr补偿
因为ldo属于晶体管型，输出阻抗高，所以需要并联减小阻抗
利用坦电容特定的esr和电容值可以为ldo进行补偿。
采用mos管后，将不需要特定的esr来中和附加相移 。
选型 压差
ldo顾名思义，要求压差要低
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1 求出动态功耗与静态功耗
静态：（漏电流*输入电压）=15ma*3.45v
动态：（3.45-3.15）*500ma
2 结温=总功耗*热阻系数+环境温度
=（输入电压-输出电压）*电流*热阻+环境温度
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