半导体场效应晶体管
金属-氧化物-半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field effect transistor,mosfet）是集成电路最重要的基本单元。金属、氧化物、半导体在mosfet中分别作为栅极、栅介质、沟道及源漏，通过栅电压的变化改变沟道区的积累、耗尽和反型，使得晶体管实现开关功能。最基本的mosfet由栅（gate，g）、源（source,s）、漏（drain，d）及体区（body）组成。
根据沟道掺杂类型的不同，mosfet分为nmosfet和pmosfet两种，两者组合在一起即为互补型mos（complementary mos,cmos）。平面mosfet在集成电路器件发展中占据着主导地位。
因为传统的平面mosfet只有一个栅极，而单栅器件对沟道的控制范围有限，仅为沟道表面的一个薄层，因此在集成电路微缩过程中面临着两难问题：一方面，为了抑制因沟道长度变小所带来的短沟道效应，需要提高沟道的掺杂浓度；另一方面，沟道掺杂浓度过高，将引起器件随机涨落及迁移率退化。
这两个方面的问题是一对不可调和的矛盾，尤其是在集成电路技术发展到22nm节点以下时，器件漏电和性能退化的问题越来越严重。为了增强栅极对沟道的控制能力，全耗尽型soi mosfet 和三维多栅mosfet逐渐成为平面单栅mosfet的替代者。
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