ESP32、GD32、STM32MCU的区别
01
前言
stm32：意法半导体在 2007 年 6 月 11 日发布的产品，32位单片机。
gd32：兆易创新 2013 年发布的产品，在芯片开发、配置、命名上基本模仿 stm32，甚至 gpio 和 stm32 都是 pin to pin 的，封装不改焊上去直接用。有时候 stm32 的源码不修改，重新编译烧写到 gd32 上就可以跑。当然也有很多不同，比如串口驱动、usb 、库文件等。
esp32：乐鑫公司 2017 年开发的产品，和 stm32、gd32 不同，esp32 主要面向物联网领域，支持功能很多，但引出 gpio pin 脚很少，因此大多数 gpio 都有很多复用功能。出厂就集成蓝牙、wifi 等物联网必备功能，板子也很小，适合物联网。
02
gd32 和 stm32 的区别
gd32 是国产单片机， 和 stm32 有很多地方都是一样的，不过 gd32 毕竟是不同的产品，不可能所有东西都沿用 stm32，有些自主开发的东西还是有区别的。不同的地方如下：
1、内核
gd32 采用二代的 m3 内核，stm32 主要采用一代 m3 内核，下图是 arm 公司的 m3 内核勘误表，gd 使用的内核只有 752419 这一个 bug。
2、主频
使用hse(高速外部时钟)：gd32的主频最大108m，stm32的主频最大72m
使用hsi(高速内部时钟)：gd32的主频最大108m，stm32的主频最大64m
主频大意味着单片机代码运行的速度会更快，项目中如果需要进行刷屏，开方运算，电机控制等操作，gd 是一个不错的选择。
3、供电
外部供电：gd32 外部供电范围是 2.6~3.6v，stm32 外部供电范围是2.0~ 3.6v或1.65~ 3.6v。gd 的供电范围比 stm32 相对要窄一点。
内核电压：gd32 内核电压是 1.2v，stm32 内核电压是 1.8v。gd 的内核电压比 stm32 的内核电压要低，所以 gd 的芯片在运行的时候运行功耗更低。
4、flash差异
gd32 的 flash 是自主研发的，和 stm32 的不一样。
gd flash 执行速度：gd32 flash 中程序执行为 0 等待周期。
stm32 flash 执行速度：st 系统频率不访问 flash 等待时间关系：0 等待周期，当 0 flash 擦除时间：gd 擦除的时间要久一点，官方给出的数据是这样的：gd32f103/101 系列 flash 128kb 及以下的型号， page erase 典型值 100ms， 实际测量 60ms 左右。对应的 st 产品 page erase 典型值 20~40ms。
5、功耗
从下面的表可以看出 gd 的产品在相同主频情况下，gd 的运行功耗比 stm32小，但是在相同的设置下 gd 的停机模式、待机模式、睡眠模式比 stm32 还是要高的。
6、串口
gd 在连续发送数据的时候每两个字节之间会有一个 bit 的 idle，而 stm32 没有，如下图：
gd 的串口在发送的时候停止位只有 1/2 两种停止位模式。stm32 有 0.5/1/1.5/2 四种停止位模式。
gd 和 stm32 usart 的这两个差异对通信基本没有影响，只是 gd 的通信时间会加长一点。
7、adc 差异
gd 的输入阻抗和采样时间的设置和 st 有一定差异，相同配置 gd 采样的输入阻抗相对来说要小。具体情况见下表这是跑在 72m 的主频下，adc 的采样时钟为 14m 的输入阻抗和采样周期的关系：
8、fsmc
stm32 只有 100pin 以上的大容量（256k及以上）才有 fsmc，gd32 所有的 100pin 或 100pin 以上的都有 fsmc。
9、103 系列 ram&flash 大小差别
gd103 系列和 st103 系列的 ram 和 flash 对比如下图：
10、105&107系列stm32和gd的差别
gd的105/107的选择比st的多很多，具体见下表：
11、抗干扰能力
gd 的抗干扰能力不如 stm32，还需要一定打磨。
03
esp32 和 stm32
esp32 是乐鑫公司推出的一款采用两个哈佛结构 xtensa lx6 cpu 构成的拥有双核系统的芯片。所有的片上存储器、片外存储器以及外设都分布在两个 cpu 的数据总线和／或指令总线上。
相比于 stm32 的一个大家族，esp32 虽然也代表一个系列，但目前来说，这个系列的成员还是比较少的，我们看下：
资源如下：
功能框图如下：
模块（非芯片）的引脚分布如下：
esp32 这个模块的 io 并不多，估计也就 30 个左右（芯片有34个，但是模块中外接 flash 用掉了一些）。但是你会发现它有几个特点：
1、集成了非常多的外设接口，spi、iic、iis、ad、da、pwm、ir、uart、can等等。io 数量有限，所以基本上每个 io 都有多个功能。
2、片内flash和ram很大，flash有448kb，ram有520kb。而模块上直接挂了一个4mb的flash。
3、速度快！虽然外接晶体的频率只有40mhz，但通过内部主频可以支持80mhz、160mhz、240mhz，运算能力高达600mips。
4、有wifi和蓝牙！当前两者不能同时使用。
stm32 和 esp32 基本是有各自不同的定位。esp32 偏向体积小巧、速度超快、功能强大，通过 wifi 接入网络，专门为物联网而生；而 stm32 偏向管脚丰富、功能全面，虽然没有 wifi 和蓝牙，速度也没有 esp32 快，但是可以通过网口接入网络，可以控制更多的外设，为消费电子和工业控制而生。
04
总结
stm32 和 gd32 是同质化产品，区别一个是国外，一个是国产，最近流行国产化替代，所以 gd32 还是很有发展前景的。物联网是一个好方向，因此 esp32 也是很有前景的。
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gd32：兆易创新 2013 年发布的产品，在芯片开发、配置、命名上基本模仿 stm32，甚至 gpio 和 stm32 都是 pin to pin 的，封装不改焊上去直接用。有时候 stm32 的源码不修改，重新编译烧写到 gd32 上就可以跑。当然也有很多不同，比如串口驱动、usb 、库文件等。
esp32：乐鑫公司 2017 年开发的产品，和 stm32、gd32 不同，esp32 主要面向物联网领域，支持功能很多，但引出 gpio pin 脚很少，因此大多数 gpio 都有很多复用功能。出厂就集成蓝牙、wifi 等物联网必备功能，板子也很小，适合物联网。
02
gd32 和 stm32 的区别
gd32 是国产单片机， 和 stm32 有很多地方都是一样的，不过 gd32 毕竟是不同的产品，不可能所有东西都沿用 stm32，有些自主开发的东西还是有区别的。不同的地方如下：
1、内核
gd32 采用二代的 m3 内核，stm32 主要采用一代 m3 内核，下图是 arm 公司的 m3 内核勘误表，gd 使用的内核只有 752419 这一个 bug。
2、主频
使用hse(高速外部时钟)：gd32的主频最大108m，stm32的主频最大72m
使用hsi(高速内部时钟)：gd32的主频最大108m，stm32的主频最大64m
主频大意味着单片机代码运行的速度会更快，项目中如果需要进行刷屏，开方运算，电机控制等操作，gd 是一个不错的选择。
3、供电
外部供电：gd32 外部供电范围是 2.6~3.6v，stm32 外部供电范围是2.0~ 3.6v或1.65~ 3.6v。gd 的供电范围比 stm32 相对要窄一点。
内核电压：gd32 内核电压是 1.2v，stm32 内核电压是 1.8v。gd 的内核电压比 stm32 的内核电压要低，所以 gd 的芯片在运行的时候运行功耗更低。
4、flash差异
gd32 的 flash 是自主研发的，和 stm32 的不一样。
gd flash 执行速度：gd32 flash 中程序执行为 0 等待周期。
stm32 flash 执行速度：st 系统频率不访问 flash 等待时间关系：0 等待周期，当 0
5、功耗
从下面的表可以看出 gd 的产品在相同主频情况下，gd 的运行功耗比 stm32小，但是在相同的设置下 gd 的停机模式、待机模式、睡眠模式比 stm32 还是要高的。
6、串口
gd 在连续发送数据的时候每两个字节之间会有一个 bit 的 idle，而 stm32 没有，如下图：
gd 的串口在发送的时候停止位只有 1/2 两种停止位模式。stm32 有 0.5/1/1.5/2 四种停止位模式。
gd 和 stm32 usart 的这两个差异对通信基本没有影响，只是 gd 的通信时间会加长一点。
7、adc 差异
gd 的输入阻抗和采样时间的设置和 st 有一定差异，相同配置 gd 采样的输入阻抗相对来说要小。具体情况见下表这是跑在 72m 的主频下，adc 的采样时钟为 14m 的输入阻抗和采样周期的关系：
8、fsmc
stm32 只有 100pin 以上的大容量（256k及以上）才有 fsmc，gd32 所有的 100pin 或 100pin 以上的都有 fsmc。
9、103 系列 ram&flash 大小差别
gd103 系列和 st103 系列的 ram 和 flash 对比如下图：
10、105&107系列stm32和gd的差别
gd的105/107的选择比st的多很多，具体见下表：
11、抗干扰能力
gd 的抗干扰能力不如 stm32，还需要一定打磨。
03
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esp32 是乐鑫公司推出的一款采用两个哈佛结构 xtensa lx6 cpu 构成的拥有双核系统的芯片。所有的片上存储器、片外存储器以及外设都分布在两个 cpu 的数据总线和／或指令总线上。
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2、片内flash和ram很大，flash有448kb，ram有520kb。而模块上直接挂了一个4mb的flash。
3、速度快！虽然外接晶体的频率只有40mhz，但通过内部主频可以支持80mhz、160mhz、240mhz，运算能力高达600mips。
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04
总结
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看来华为是压力很大！华为mate9再降500元，阻击小米6的心很坚定
盼着盼着，无线充电真的来了
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