如何实现IR2110驱动电路的优化设计

驱动igbt电压型功率器件有多种具有保护及隔离功能的集成驱动模块。这些模块具有多种保护功能、隔离驱动、电路参数一致性好、运行稳定可靠等优点,但其相对价格较高,且只能驱动单个功率管。而ir2110是双通道高压、高速电压型功率开关器件栅极驱动器,具有自举浮动电源。驱动电路简单,只需一路电源即可同时驱动上、下桥臂,但存在不能产生负偏压,在抗干扰方面较薄弱等缺陷。这里从保护、抗干扰等方面对该模块进行优化设计,使其优点更突出,从而使用范围更广泛。
2 ir2110功能模块
图1为ir2110内部结构框图。ir2110采用cmos工艺制作,逻辑电源电压范围为5-20 v,适应ttl或cmos逻辑信号输入,具有独立的高端和低端2个输出通道。由于逻辑信号均通过电平耦合电路连接到各自的通道上,允许逻辑电路参考地 (vss)与功率电路参考地(com)之间有-5~+5 v的偏移量,并能屏蔽小于50 ns的脉冲。采用cmos施密特触发输入,以提高电路的抗干扰能力。ir2110由逻辑输入、电平平移及输出保护组成。逻辑输入电路与ttl/cmos电平兼容;逻辑电源地(vss)和功率地(com)之间允许有±5 v的偏移量;工作频率高,可达500 khz;开通、关断延迟小,分别为120 ns和94 ns:输出峰值电流可达2 a,上桥臂通道可承受500 v的电压。自举悬浮驱动电源可同时驱动同一桥臂的上、下两个开关器件,大大简化了驱动电源设计。
3 驱动电路的优化设计
3.1 输入、输出信号处理
该驱动电路将从光纤输入的信号处理变为驱动信号输出,且当信号出现过流时输出一个阻断信号到系统的控制部分,由控制部分停止pwm信号的输出,关断 igbt管,如图2所示。
在大中功率场合下,开关管开通关断的du/dt、di/dt很高,很容易对控制电路等弱电信号造成干扰,严重威胁功率逆变器的安全运行。因此采用光纤连接器隔离主电路和控制电路,光纤连接器实现pwm控制信号的远距离传输,延时小且可消除来自功率开关器件的干扰。
由图2可知,光接收器接收到信号(即有pwm信号到来)时为低电平,而与非门u1的另一端接+15 v为高电平,通过与非门u1后为高电平,再通过异或门u2、与门u3接收到信号,该信号接到ir2110的低通道输入端lin,用来驱动ir2110一端的igbt。异或门u6,与非门u5,电阻r1和电容c3组成确认脉冲发生电路。每当输入信号发生跳变时,异或门u6输出一个正脉冲,其宽度由电容c3和电阻r1决定,并通过光纤发送器发出。当igbt过流时,ovc为低电平,其低电位反馈到u3的输入端,使drg强置为高电平,从而使igbt关断。此时 so端也将出现低电平,输出光纤将状态传送至系统控制部分。由系统发出信号统一关断igbt管。
3.2 保护电路
ir2110自带保护功能,输入端sd可实现过电流保护控制功能,但在驱动大中功率igbt管时应慎用,因为大电流下关断di/dt很大,控制及驱动电路屏蔽不好的情况下会产生很大的干扰信号,容易引起sd端保护误动作,在强感性大电流下关断驱动会导致直流母线上的高压毛刺,而ir2110允许的最高电压只有500 v,很可能使驱动模块失效而烧坏igbt模块。因此这里重新设计保护电路,使其能更好保护封锁信号,如图3所示。
保护电路处理过流和欠压检测信号,完成过流保护和欠电压保护,整个保护电路的核心是lm555。
(1)过流保护电路 图3中,二极管vd3,电阻r14、r16、r15,电容c6,mos管vq4组成过流反馈电路,与r11、r12及稳压管vd2组成的参考电压相比较;r8、r9、r10、c4与mos管vq3组成阻断时间电路。当有信号输入时(igbt导通),msure信号为低电平,vq4截止,c极的电压反馈到lm555的引脚6;当无信号输入时(igbt截止),vq4导通,则lm555引脚6的电压为0 v。在igbt导通期间,当vce(c极相对于e极的电压)超过一定值时,v6e(lm555的引脚6相对于e极的电压)大于v5e(lm555的引脚5 相对于e极的电压),lm555引脚7输出为低电平,即ovc为低电平,启动过流保护,经阻断时间后恢复正常;否则,引脚7为门极开路,电路工作正常。
(2)欠压保护电路 该电路由图3中的电阻r5、r6、r7,晶体管vq2及稳压管vd1组成。正常状态下,晶体管vq2导通,lm555的reset信号(引脚4)不起作用;当给定电压低到一定值时,lm555的引脚4为0 v,reset信号起作用,使lm555处于复位状态,引脚7即ovc为低电平,保护电路启动。
3.3 负偏压电路
ir2110的另一不足是不能产生负偏压。在大功率igbt驱动场合,各路驱动电源独立,集成驱动器一般都能产生负压,-5 v。用于增强igbt关断的可靠性,防止由于密勒效应而造成误导通。ir2110器件内部虽不能产生负压,但可通过外加无源器件产生负压,如图4所示。
在上、下管驱动电路中均增加由电容和5 v稳压管组成的负压电路。其工作原理为:电源电压vcc为20 v。在上电期间,电源通过r10为c11充电,c11保持5 v电压。lin为高电平时,lo相对com输出20 v的高电平,这时加在下管vg1的电压为15 v,igbt正常导通。当lin输入为低电平时,lo输出o v,此时vg1的电压为-5 v,实现关断时负压。同理,对于上管vg2,hin输入高电平时,ho输出20 v,加在vg2的电压为15 v。当hin为低电平时,ho输出0 v,vg2电压为-5 v。选择的c11,c12要大于igbt栅极输入寄生电容ciss。自举电容充电电路中的二极管vd4必须是快恢复二极管,以保证在有限时间内快速导通。
4 结论
通过对驱动模块ir2110的分析研究,在其驱动电路简单、可独立高端和低端输出驱动通道等基础上,针对其一些不足。设计实用性较强的优化驱动电路,使该模块在使用中能更有效地对igbt进行驱动、控制和过流保护。

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