易失性存储DRAM是什么，它的主要原理是怎样的
dram是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制bit是1还是0。与sram相比的dram的优势在于结构简单，每一个bit的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理，相比之下在sram存储芯片上一个bit通常需要六个晶体管。因此dram拥有非常高的密度，单位体积的容量较高因此成本较低。存储芯片供应商宇芯电子本篇文章主要介绍关于dram的基本知识。
dram存储原理
dram的每一位存储单元采用一个晶体管和小电容来实现。若写入位为“1”，则电容被充电：若写入位为“0”，则电容不被充电。读出时用晶体管来读与之相连的电容的电荷状态。若电容被充电，则该位为“1”;若电容没有被充电，则该位为“o”。
由于电容存在漏电阻，因此每个位单元都必须不断地、周期性地对进行充电，以维持原来的数据不丢失，此行为称之为刷新。
dram特点
由于每个存储位仅用一个晶体管和小电容，因此集成度比较高。就单个芯片的存储容量而言，dram可以远远超过sram;就相同容量的芯片而言，dram的价格也大大低于sram。这两个优点使dram成为计算机内存的主要角色。dram的行列地址分时复用控制和需要刷新控制，使得它比sram的接口要复杂一些。dram的存取速度一般比sram要慢。
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