基于MEMS微硅传感器制程的SENSA工艺
苏州敏芯微电子成功研发面向 mems 微硅传感器制程的 sensa 工艺。敏芯目前已经将此工艺应用于公司生产的微硅压力传感芯片 msp 系列产品中。此项关键核心技术的突破，将为国内以至全球的微硅压力传感器行业带来深刻变革。传感芯片的尺寸、精度、可靠性、可加工性以及成本，将由于sensa工艺的引入而产生质的飞跃。可以预计，基于此新型工艺芯片的压力传感器产品，将会以更轻、更薄、更灵敏、更可靠的方式获得海量应用，包括智能手机、运动型手表、个人导航设备、便携式气象站，以及汽车和工业应用等。
sensa 工艺，英文全称 silicon epitaxial-layer on sealed air-cavity(中文译作：密封气腔体之上的硅外延层工艺)，代表了全球范围内微硅传感器mems制成工艺的技术潮流与前沿水准。迄今为止，只有德国、意大利与美国的少数知名半导体企业掌握了类似技术，并且实行技术垄断。sensa 工艺，是敏芯微电子研发团队历时数年，在长期的mems工艺研发实践中不断攻克技术难关而逐步完善的。该项技术已经在中国大陆与美国申请了专利，并且成功获得了授权。
敏芯微电子的 ceo 李刚博士，同时也是 sensa 工艺的技术创始人表示，“通过sensa 工艺，使得基于单一晶片的压力传感器成为可能。与传统的硅微加工薄膜相比，sensa 工艺制成的薄膜不需要键合工艺，因此理论上薄膜是零应力状态，完全消除了传统工艺中应力带来的芯片特性的离散性和漂移。同时，工艺步骤的简化大幅度地提升了产品的可靠性并且降低了尺寸与成本，内嵌于硅片密封气腔中的微机械止动结构也可防止薄膜产生机械性破裂。从更长远的技术发展趋势来看，sensa 工艺是实现未来将 cmos 电路与 mems 芯片进行单一芯片集成的关键技术之一。因此，公司目前的压力传感芯片msp系列产品在近期内都将迁移到此新工艺平台。我们承诺，敏芯微电子将坚持不懈地为给客户提供高品质、高性价比的 mems 传感产品而不断努力。”
基于 sensa 新工艺的微硅压力传感芯片系列，目前 msp100(100 kpa 或 14.5 psi) 与 msp700(700 kpa 或 102 psi) 型号的工程样品已完备，正处在积极地与客户进行性能测试和产品导入过程中。
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