达林顿管内部结构、分类、应用电路
1.达林顿管的内部结构
达林顿管采用复合连接方式 ，将两只或更多只晶体管的集电极连在一起，而将第一只晶体管的发射极直接耦合到第二只晶体管的基极 ，依次级连而成，最后引出 e 、b 、c 三个电极 。
达林顿管内部示意图
两个三极管复合成一个新的达林顿管后，他的三个电极仍然叫：b→基极、 c→集电极、 e→发射极。
如图所示，前级三极管q1的发射极接后级三极管q2的基极，所以 对于达林顿管来说，它的放大倍数是q1的放大倍数与q2的放大倍数的乘积。 这个值一般可达到数千至数十万倍。 但是，功率增大时，前级晶体管的漏电流会被逐级放大，导致整体热稳定性差，当今达林顿管内部均集成均衡电阻和二极管，这样，除了大大提高热稳定性外，还能有效地提高后级功率管的耐压。
达林顿管内部实际结构
r1与r2是泄放电阻，为漏电流提供泄放支路。
d1是续流二极管，防止感性负载断开时反向电动势损坏三极管。
2.达林顿管分类
由于三极管分为npn型和pnp型，达林顿管根据内部前后三极管的型号差异，有四种组合方式：
(a) q1+q2=npn+npn;
(b) q1+q2=pnp+pnp;
(三)q1+q2=pnp+npn;
(四)q1+q2=npn+pnp;
达林顿管四种内部结构
不同类型三极管连接而成的复合管，其类型取决于第一只三极管的类型。
3.达林顿管的特点
①输入阻抗高，可以被普通的ttl，cmos门电路驱动。
②饱和导通ce之间的压降大，开关状态下损耗大。
③放大倍数大，驱动能力强。
注：达林顿管选择需要考虑的参数：ce反向耐压、工作电流、放大倍数、耗散功率。
4.达林顿管应用电路
达林顿管常用于大功率开关电路、电机调速、逆变电路、驱动小型继电器、驱动led智能显示屏等场合。
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达林顿管采用复合连接方式 ，将两只或更多只晶体管的集电极连在一起，而将第一只晶体管的发射极直接耦合到第二只晶体管的基极 ，依次级连而成，最后引出 e 、b 、c 三个电极 。
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两个三极管复合成一个新的达林顿管后，他的三个电极仍然叫：b→基极、 c→集电极、 e→发射极。
如图所示，前级三极管q1的发射极接后级三极管q2的基极，所以 对于达林顿管来说，它的放大倍数是q1的放大倍数与q2的放大倍数的乘积。 这个值一般可达到数千至数十万倍。 但是，功率增大时，前级晶体管的漏电流会被逐级放大，导致整体热稳定性差，当今达林顿管内部均集成均衡电阻和二极管，这样，除了大大提高热稳定性外，还能有效地提高后级功率管的耐压。
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2.达林顿管分类
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3.达林顿管的特点
①输入阻抗高，可以被普通的ttl，cmos门电路驱动。
②饱和导通ce之间的压降大，开关状态下损耗大。
③放大倍数大，驱动能力强。
注：达林顿管选择需要考虑的参数：ce反向耐压、工作电流、放大倍数、耗散功率。
4.达林顿管应用电路
达林顿管常用于大功率开关电路、电机调速、逆变电路、驱动小型继电器、驱动led智能显示屏等场合。
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