东芝推出第二代工艺技术 采用新型嵌入式NAND闪存模块
东京日前宣布推出新型嵌入式nand闪存模块(e·mmc)，该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的nand芯片。同时该模块符合最新的e·mmc™标准，旨在应用于智能手机、平板电脑和数字摄像机等广泛的数字消费品。批量生产将从11月底开始。
市场对能够支持高分辨率视频和提供更大存储空间的大容量nand闪存芯片的需求不断增长。这种需求在包含控制器功能的嵌入式存储器领域尤为明显，这种嵌入式存储器可以使开发要求降至最低，并使系统整合设计更加便利。东芝正通过强化其大容量存储器产品系列来满足这一需求。
东芝公司的新型32gb e·mmc在11.5 x 13 x 1.0mm的小封装中整合了4个64gbit(相当于8gb)nand芯片(采用东芝的19纳米第二代尖端工艺技术制造)和一个专用控制器。它符合jedec于9月发布的jedecc e·mmc™ 5.0版标准，并且通过采用新的hs400高速接口标准实现了高读写性能。
东芝将在容量为4gb至128gb的e·mmc中使用这些nand芯片。所有e·mmc都将整合一个控制器来管理nand应用的基本控制功能。在16gb和32gb产品之后，东芝将依次推出4gb、8gb、64gb和128gb产品。
主要功能
♦ 符合jedec e·mmc™ 5.0版标准的接口可以处理基本功能，包括坏块管理、ecc和驱动软件。它可简化系统开发，最小化制造商的开发成本，并加快新产品和升级产品的上市速度。
♦ 128gb e·mmc产品能够以128kbps比特率记录长达2,222小时的音乐、16.6小时的全高清视频和38.4小时的标清视频。
♦ 新产品采用使用19纳米第二代尖端工艺技术制造的nand闪存芯片。
♦ 新产品采用11.5 x 13mm的小型fbga封装，并且拥有符合jedec e·mmc™ 5.0版标准的信号(引脚)布局。
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