74HC595的具体使用
什么是74hc595
是硅结构的cmos器件， 兼容低电压ttl电路，遵守jedec no.7a标准。
74hc595具有8位移位寄存器和一个存储器，三态输出功能。 移位寄存器和存储器有相互独立的时钟。
数据在sh_cp（移位寄存器时钟输入）的上升沿输入到移位寄存器中，在st_cp（存储器时钟输入）的上升沿输入到存储寄存器中去。如果两个时钟连在一起，则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。
移位寄存器有一个串行移位输入（ds），和一个串行输出（q7’），和一个异步的低电平复位，存储寄存器有一个并行8位的，具备三态的总线输出，当使能oe时（为低电平），存储寄存器的数据输出到总线。
8位串行输入/输出或者并行输出移位寄存器，具有高阻关断状态。三态。
将串行输入的8位数字，转变为并行输出的8位数字，例如控制一个8位数码管，将不会有闪烁。
74hc595外形图 74hc595具有一个8位串行输入并行输出的移位寄存器和一个8位输出锁存器。
应用电路图
74hc595具体使用的步骤： 第一步：目的：将要准备输入的位数据移入74hc595数据输入端上。
方法：送位数据到_595。
第二步：目的：将位数据逐位移入74hc595，即数据串入
方法：sck_595产生一上升沿，将psi_595上的数据移入74hc595中。从低到高
第三步：目的：并行输出数据。即数据并出
方法：p1.1产生一上升沿，将由si_595上已移入数据寄存器中的数据
送入到输出锁存器。
说明： 从上可分析：从sck_595产生一上升沿（移入数据）和rck_595产生一上升沿（输出数据）是二个独立过程，实际应用时互不干扰。即可输出数据的 同时移入数据。
程序如下，复制就能用。
sbit si_595=p2^0;
sbit rck_595=p2^2;
sbit sck_595=p2^1;
void hc595senddata（unsigned char sendval）//发送数据
{
unsigned char i;
for（i=0;i《8;i++）
{
if（（sendval《《i）&0x80） si_595=1;
else si_595=0;
sck_595=0;//从sck_595产生一上升沿（移入数据）
_nop_（）;
_nop_（）;
sck_595=1;
}
}
void hc595showdata（）//rck_595产生一上升沿（输出数据）
{
rck_595=0;
_nop_（）;
_nop_（）;
rck_595=1;
}
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数据在sh_cp（移位寄存器时钟输入）的上升沿输入到移位寄存器中，在st_cp（存储器时钟输入）的上升沿输入到存储寄存器中去。如果两个时钟连在一起，则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。
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将串行输入的8位数字，转变为并行输出的8位数字，例如控制一个8位数码管，将不会有闪烁。
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74hc595具体使用的步骤： 第一步：目的：将要准备输入的位数据移入74hc595数据输入端上。
方法：送位数据到_595。
第二步：目的：将位数据逐位移入74hc595，即数据串入
方法：sck_595产生一上升沿，将psi_595上的数据移入74hc595中。从低到高
第三步：目的：并行输出数据。即数据并出
方法：p1.1产生一上升沿，将由si_595上已移入数据寄存器中的数据
送入到输出锁存器。
说明： 从上可分析：从sck_595产生一上升沿（移入数据）和rck_595产生一上升沿（输出数据）是二个独立过程，实际应用时互不干扰。即可输出数据的 同时移入数据。
程序如下，复制就能用。
sbit si_595=p2^0;
sbit rck_595=p2^2;
sbit sck_595=p2^1;
void hc595senddata（unsigned char sendval）//发送数据
{
unsigned char i;
for（i=0;i《8;i++）
{
if（（sendval《《i）&0x80） si_595=1;
else si_595=0;
sck_595=0;//从sck_595产生一上升沿（移入数据）
_nop_（）;
_nop_（）;
sck_595=1;
}
}
void hc595showdata（）//rck_595产生一上升沿（输出数据）
{
rck_595=0;
_nop_（）;
_nop_（）;
rck_595=1;
}
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