全球研究机构ic insights表示,随着dram市场疲软可能延续到明年上半年,三星(samsung)等三大dram供应商的资本支出下滑,使得明年半导体资本支出可能趋缓,预计将比今年新高水准减少12%。
ic insights预测今年半导体业的资本支出总额将增长15%至1071亿美元,为首度突破1000亿美元新高,但预计2019年半导体资本支出将下降12%。
ic insights预期,三星(samsung)今年资本支出可能比去年的242亿美元减少,但将维持在226亿美元高档,还是会居全球半导体业之冠。三星近2年资本支出合计将高达468亿美元。
ic insights表示,三星2017年和2018年的大规模支出将在未来产生影响,已经开始的一个影响是3d nand的产能过剩;除了三星大举支出,sk海力士(hynix)等竞争对手支出也相当积极。
ic insights指出,sk海力士今年半导体资本支出可能增加58%,增加的支出将主要集中在韩国的3d nand flash厂与大陆无锡的dram厂。
有鉴于动态随机存取记忆体(dram)市场疲软,可能延续到明年上半年,三星,sk海力士与美光(微米)三大dram供应商的资本支出,可能从2018年的454亿美元,下滑到2019年的375亿美元,减少17%。
ic insights预期,明年整体半导体业资本支出可能较今年减少12%;其中,三星,英特尔(intel),海力士,台积电与美光5大厂明年资本支出将减少14%,其余的半导体厂明年资本支出减少幅度可能较小,将减少约7%。
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