SDRAM与SRAM的区别

sdram sdram(synchronous dynamic random access memory)同步动态随机存取存储器,同步是指memory工作需要步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准;动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失;随机是指数据不是线性依次存储,而是由指定地址进行数据读写。目前的168线64bit带宽内存基本上都采用sdram芯片,工作电压3.3v电压,存取速度高达7.5ns,而edo内存最快为15ns。并将ram与cpu以相同时钟频率控制,使ram与cpu外频同步,取消等待时间,所以其传输速率比edo dram更快。
sdram从发展到现在已经经历了四代,分别是:第一代sdr sdram,第二代ddr sdram,第三代ddr2 sdram,第四代ddr3 sdram。第一代与第二代sdram均采用单端(single-ended)时钟信号,第三代与第四代由于工作频率比较快,所以采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟。
sdr sdram的时钟频率就是数据存储的频率,第一代内存用时钟频率命名,如pc100,pc133则表明时钟信号为100或133mhz,数据读写速率也为100或133mhz。
之后的第二,三,四代ddr(double data rate)内存则采用数据读写速率作为命名标准,并且在前面加上表示其ddr代数的符号,pc-即ddr,pc2=ddr2,pc3=ddr3。如pc2700是ddr333,其工作频率是333/2=166mhz,2700表示带宽为2.7g。
ddr的读写频率从ddr200到ddr400,ddr2从ddr2-400到ddr2-800,ddr3从ddr3-800到ddr3-1666。很多人将sdram错误的理解为第一代也就是 sdr sdram,并且作为名词解释,皆属误导,sdr不等于sdram。
sram sram是英文static ram的缩写,它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像dram内存那样需要刷新电路,每隔一段时间,固定要对dram刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此sram具有较高的性能,但是sram也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的dram内存可以设计为较小的体积,但是sram却需要很大的体积,所以在主板上sram存储器要占用一部分面积,在主板上哪些是sram呢?
一种是置于cpu与主存间的高速缓存,它有两种规格:一是固定在主板上的高速缓存(cache memory );二是插在卡槽上的coast(cache on a stick)扩充用的高速缓存,另外在cmos芯片1468l8的电路里,它的内部也有较小容量的128字节sram,存储我们所设置的配置数据。
还有一种是为了加速cpu内部数据的传送,自80486cpu起,在cpu的内部也设计有高速缓存,故在pentium cpu就有所谓的l1 cache(一级高速缓存)和l2cache(二级高速缓存)的名词,一般l1 cache是内建在cpu的内部,l2 cache是设计在cpu的外部,但是pentium pro把l1和l2 cache同时设计在cpu的内部,故pentium pro的体积较大。最新的pentium ii又把l2 cache移至cpu内核之外的黑盒子里。
sram显然速度快,不需要刷新的动作,但是也有另外的缺点,就是价格高,体积大,所以在主板上还不能作为用量较大的主存。现将它的特点归纳如下:
优点,速度快,不必配合内存刷新电路,可提高整体的工作效率。
缺点,集成度低,功耗较大,相同的容量体积较大,而且价格较高,少量用于关键性系统以提高效率。
sram使用的系统:cpu与主存之间的高速缓存、cpu内部的l1/l2或外部的l2高速缓存、cpu外部扩充用的coast高速缓存、cmos 146818芯片(rt&cmos sram)。
sram与sdram的比较: sram是靠双稳态触发器来记忆信息的;sdram是靠mos电路中的栅极电容来记忆信息的。由于电容上的电荷会泄漏,需要定时给与补充,所以动态ram需要设置刷新电路。但动态ram比静态ram集成度高、功耗低,从而成本也低,适于作大容量存储器。所以主内存通常采用sdram,而高速缓冲存储器(cache)则使用sram,在存取速度上,sram》sdram。另外,内存还应用于显卡、声卡及cmos等设备中,用于充当设备缓存或保存固定的程序及数据。

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