中芯国际回复：公司14nm先进工艺和成熟工艺均达到国际领先水平
6月7日晚间，中芯国际在上交所公布了对第一轮审核问询函的回复。此前中芯国际在招股说明书披露，公司逻辑工艺技术平台65/55nm及以下、0.13/0.11微米、0.18/0.15微米均为国际领先，成熟逻辑工艺技术平台应用领域相对重视安全、稳定等因素，因此以其工艺水平、器件性能等指标作为先进程度衡量标准。此外，公司特色工艺技术平台、配套服务技术均存在多项国际领先的核心技术。
问询函有一个关于公司核心技术先进性的问题，“请发行人说明：结合与同行业可比公司的对比情况，分析上述技术认定为“国际领先”的具体依据。“
中芯国际回复到，公司是全球领先的集成电路晶圆代工企业之一，也是中国大陆技术最先进、规模最大、配套服务最完善、跨国经营的专业晶圆代工企业，主要为客户提供0.35微米至14纳米多种技术节点、不同工艺平台的集成电路晶圆代工及配套服务。
在逻辑工艺技术平台、特色工艺技术平台、配套服务等方面达到国际领先水平，得到业内客户的广泛认可，获得了良好的行业认知度。2018年度，公司与近半数世界前50名知名集成电路设计公司和系统厂商开展了深度合作。
在工艺技术水平、器件性能、能耗功效及其他表征方面达到行业领先水平，公司部分技术认定为“国际领先”的具体依据如下：
1、逻辑工艺技术平台
在逻辑工艺领域，中芯国际成功开发了0.35微米至14纳米多种技术节点。其中14纳米先进逻辑工艺和28纳米、45/40纳米、65/55纳米、0.13/0.11微米、0.18/0.15微米等成熟逻辑工艺已达到国际领先水平。
在先进逻辑工艺技术平台方面，中芯国际是中国大陆第一家提供国际领先的14纳米技术节点的晶圆代工企业。在全球范围内，目前仅有包括公司在内的4家纯晶圆代工厂有技术能力提供14nm技术节点。因此，公司先进逻辑工艺技术平台已达到国际领先水平。
在成熟逻辑工艺技术平台方面，中芯国际28纳米、45/40纳米、65/55纳米、0.13/0.11微米、0.18/0.15微米等成熟逻辑工艺技术平台均为国际领先地位。
由于成熟逻辑工艺技术平台应用领域相对重视安全、稳定等因素，因此以其工艺技术水平、器件性能等指标作为先进程度衡量标准。具体认定依据如下表所示：
在特色工艺技术平台方面，中芯国际成功开发了电源/模拟、高压驱动、嵌入式非挥发性存储、非易失性存储、混合信号/射频、图像传感器等多种特色工艺平台，其中电源/模拟技术平台、高压驱动技术平台已达到国际领先水平。具体认定依据如下表所示：
2、配套服务
公司在提供配套服务过程中，所采用的光掩模工艺误差修正技术和中段凸块技术均达到国际领先水平，具体认定依据如下表所示：
综上，公司65/55nm及以下、0.13/0.11微米、0.18/0.15微米逻辑工艺技术平台，电源/模拟技术平台、高压驱动技术平台等特色工艺平台，光掩模工艺误差修正技术、中段凸块技术等配套服务技术已达到国际领先水平。
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问询函有一个关于公司核心技术先进性的问题，“请发行人说明：结合与同行业可比公司的对比情况，分析上述技术认定为“国际领先”的具体依据。“
中芯国际回复到，公司是全球领先的集成电路晶圆代工企业之一，也是中国大陆技术最先进、规模最大、配套服务最完善、跨国经营的专业晶圆代工企业，主要为客户提供0.35微米至14纳米多种技术节点、不同工艺平台的集成电路晶圆代工及配套服务。
在逻辑工艺技术平台、特色工艺技术平台、配套服务等方面达到国际领先水平，得到业内客户的广泛认可，获得了良好的行业认知度。2018年度，公司与近半数世界前50名知名集成电路设计公司和系统厂商开展了深度合作。
在工艺技术水平、器件性能、能耗功效及其他表征方面达到行业领先水平，公司部分技术认定为“国际领先”的具体依据如下：
1、逻辑工艺技术平台
在逻辑工艺领域，中芯国际成功开发了0.35微米至14纳米多种技术节点。其中14纳米先进逻辑工艺和28纳米、45/40纳米、65/55纳米、0.13/0.11微米、0.18/0.15微米等成熟逻辑工艺已达到国际领先水平。
在先进逻辑工艺技术平台方面，中芯国际是中国大陆第一家提供国际领先的14纳米技术节点的晶圆代工企业。在全球范围内，目前仅有包括公司在内的4家纯晶圆代工厂有技术能力提供14nm技术节点。因此，公司先进逻辑工艺技术平台已达到国际领先水平。
在成熟逻辑工艺技术平台方面，中芯国际28纳米、45/40纳米、65/55纳米、0.13/0.11微米、0.18/0.15微米等成熟逻辑工艺技术平台均为国际领先地位。
由于成熟逻辑工艺技术平台应用领域相对重视安全、稳定等因素，因此以其工艺技术水平、器件性能等指标作为先进程度衡量标准。具体认定依据如下表所示：
在特色工艺技术平台方面，中芯国际成功开发了电源/模拟、高压驱动、嵌入式非挥发性存储、非易失性存储、混合信号/射频、图像传感器等多种特色工艺平台，其中电源/模拟技术平台、高压驱动技术平台已达到国际领先水平。具体认定依据如下表所示：
2、配套服务
公司在提供配套服务过程中，所采用的光掩模工艺误差修正技术和中段凸块技术均达到国际领先水平，具体认定依据如下表所示：
综上，公司65/55nm及以下、0.13/0.11微米、0.18/0.15微米逻辑工艺技术平台，电源/模拟技术平台、高压驱动技术平台等特色工艺平台，光掩模工艺误差修正技术、中段凸块技术等配套服务技术已达到国际领先水平。
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