3nm制程工艺或将迎来希望
随着三星宣布7nm euv工艺的量产，2018年euv光刻工艺终于商业化了，这是euv工艺研发三十年来的一个里程碑。不过euv工艺要想大规模量产还有很多技术挑战，目前的光源功率以及晶圆产能输出还没有达到理想状态，euv工艺还有很长的路要走。
光刻机分辨率=k1*λ/na
在现有的euv之外，asml与imec比利时微电子中心还达成了新的合作协议，双方将共同研发新一代euv光刻机，na数值孔径从现有的0.33提高到0.5，可以进一步提升光刻工艺的微缩水平，制造出更小的晶体管。
na数值孔径对光刻机有什么意义？决定光刻机分辨率的公式如下：
光刻机分辨率=k1*λ/na
k1是常数，不同的光刻机k1不同，λ指的是光源波长，na是物镜的数值孔径，所以光刻机的分辨率就取决于光源波长及物镜的数值孔径，波长越短越好，na越大越好，这样光刻机分辨率就越高，制程工艺越先进。
现在的euv光刻机使用的是波长13.5nm的极紫外光，而普通的duv光刻机使用的是193nm的深紫外光，所以升级到euv光刻机可以大幅提升半导体工艺水平，实现7nm及以下工艺。
但是改变波长之后再进一步提升euv光刻机的分辨率就要从na指标上下手了，目前的光刻机使用的还是na=0.33的物镜系统，下一代的目标就是na=0.5及以上的光学系统了。
如今asml与imec合作的就是高na的euv工艺了，双方将成立一个联合实验室，在exe:5000型光刻机上使用na=0.55的光学系统，更高的na有助于将evu光源投射到更广阔的晶圆上从而提高半导体工艺分辨率，减少晶体管尺寸。
如今这项研究才刚刚开始，所以新一代euv光刻工艺问世时间还早，此前asml投资20亿美元入股蔡司公司，目标就是合作研发na=0.5的物镜系统。
之前公布的量产时间是2024年，这个时间点上半导体公司的制程工艺应该可以到3nm节点了。
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