5v稳压电源电路设计
在这篇文章中，我们将学习从更高的电压源（例如3v或不带ic的3v电源）制作5v,12v，24v稳压器电路。
线性集成电路
通常，使用线性ic（例如78xx系列稳压器ic或降压转换器）从较高电压源获得降压。
上述两种选择都可能是昂贵和/或复杂的选项，用于快速获得特定应用的特定所需电压。
齐纳二极管
齐纳二极管在从较高电源实现较低电压时也很有用，但是您无法从齐纳二极管电压钳位获得足够的电流。这是因为齐纳二极管通常涉及一个高阻值电阻器，以保护自身免受高电流的影响，这将更高电流流向输出的通道限制在仅毫安，这对于相关负载来说大多是不够的。
从给定的更高电压源获得3.3v或5v调节或任何其他所需值的快速而干净的方法是使用串联二极管，如下图所示。
使用整流二极管压降
在上图中，我们可以看到大约 10 个二极管用于在极端端获取 3v 输出，而其他相应的值也可以在相关压降二极管上以 4.2v、5v 和 6v
电平的形式看到。
我们知道，通常整流二极管的特性是自身两端的压降约为0.6v，这意味着在二极管阳极馈电的任何电位都将在其阴极产生一个输出，该输出通常比其阳极的输入低约0.6v。
我们利用上述特性，以便在给定的较高电源下实现指示的较低电压电位。
使用 1n4007 二极管提供 1 a 电流
图中显示了1n4007二极管，其输出电流可能不超过100ma，尽管1n4007二极管的额定电流高达1安培，但需要确保二极管不会开始预热，否则将导致更高的电压被允许通过。
因为当二极管加热时，其两端的额定压降开始向零下降，这就是为什么上述设计的最大电流不应超过100ma，以防止过热并实现设计的最佳响应。
对于更高的电流，可以选择更高额定值的二极管，例如 1n5408（最大 0.5 安培）或 6a4（最大 2 安培）等。
上述设计的缺点是它不能在输出端产生准确的电位值，因此可能不适合可能需要定制基准电压源的应用，或者负载参数对其电压规格至关重要的应用。
对于此类应用程序，以下配置可能变得非常可取和有用：
使用发射器跟随器 bjt
上图显示了使用bjt和几个电阻的简单发射极跟随器配置。
这个想法是不言自明的，这里的电位器用于将输出调整到任何所需的电平，从3v或更低到最大馈电输入电平，尽管最大可用输出始终小于施加的输入电压0.6v。
集成bjt来制作3.3v或5v稳压器电路的优势在于，它使您能够使用最少数量的元件实现任何所需的电压。
它还允许在输出端使用更高的电流负载，此外，输入电压没有限制，可以根据bjt的处理能力和电阻值的一些小调整来增加。
在给定的示例中，可以看到12v至24v的输入，只需轻弹随附电位计的旋钮即可将其调整为任何所需的电平，例如3.3v，6v，9v，12v，15v，18v，20v或任何其他中间值。
5v 稳定稳压器
5v晶体管稳压器电路的工作原理如下。
连接在晶体管bd1的集电极/基极之间的131k电阻通常意味着bd131始终保持导通模式。
然而，4.3 v 齐纳二极管 zd1 将晶体管 2n697 的基极电压箝位至比 bjt bd4 的发射极电压低约 3.131 伏。2n697
的基极电压相对于其发射极电压达到约 0.6 v 正极，即开始导通，此时 bd131 发射极达到约 4.9 v 正电位。
此时的升高电压允许更多的电流流过2n697（导电晶体管底部每上升80
mv，集电极电流就会增加10倍），导致晶体管通过lk电阻吸收更多电流，从而降低bd131的基极/发射极电压。
通过这样做，电路可确保在大约4.9 v - 5.0 v下适当稳定。另一个齐纳二极管zd2的值为5.6
v，用于在bd131故障导致短路的情况下进行安全定位。在这种情况下，zd2 可能会吸收多余的电流，直到保险丝熔断。如果电路使用电池供电，则500
ma保险丝应该没问题。
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齐纳二极管在从较高电源实现较低电压时也很有用，但是您无法从齐纳二极管电压钳位获得足够的电流。这是因为齐纳二极管通常涉及一个高阻值电阻器，以保护自身免受高电流的影响，这将更高电流流向输出的通道限制在仅毫安，这对于相关负载来说大多是不够的。
从给定的更高电压源获得3.3v或5v调节或任何其他所需值的快速而干净的方法是使用串联二极管，如下图所示。
使用整流二极管压降
在上图中，我们可以看到大约 10 个二极管用于在极端端获取 3v 输出，而其他相应的值也可以在相关压降二极管上以 4.2v、5v 和 6v
电平的形式看到。
我们知道，通常整流二极管的特性是自身两端的压降约为0.6v，这意味着在二极管阳极馈电的任何电位都将在其阴极产生一个输出，该输出通常比其阳极的输入低约0.6v。
我们利用上述特性，以便在给定的较高电源下实现指示的较低电压电位。
使用 1n4007 二极管提供 1 a 电流
图中显示了1n4007二极管，其输出电流可能不超过100ma，尽管1n4007二极管的额定电流高达1安培，但需要确保二极管不会开始预热，否则将导致更高的电压被允许通过。
因为当二极管加热时，其两端的额定压降开始向零下降，这就是为什么上述设计的最大电流不应超过100ma，以防止过热并实现设计的最佳响应。
对于更高的电流，可以选择更高额定值的二极管，例如 1n5408（最大 0.5 安培）或 6a4（最大 2 安培）等。
上述设计的缺点是它不能在输出端产生准确的电位值，因此可能不适合可能需要定制基准电压源的应用，或者负载参数对其电压规格至关重要的应用。
对于此类应用程序，以下配置可能变得非常可取和有用：
使用发射器跟随器 bjt
上图显示了使用bjt和几个电阻的简单发射极跟随器配置。
这个想法是不言自明的，这里的电位器用于将输出调整到任何所需的电平，从3v或更低到最大馈电输入电平，尽管最大可用输出始终小于施加的输入电压0.6v。
集成bjt来制作3.3v或5v稳压器电路的优势在于，它使您能够使用最少数量的元件实现任何所需的电压。
它还允许在输出端使用更高的电流负载，此外，输入电压没有限制，可以根据bjt的处理能力和电阻值的一些小调整来增加。
在给定的示例中，可以看到12v至24v的输入，只需轻弹随附电位计的旋钮即可将其调整为任何所需的电平，例如3.3v，6v，9v，12v，15v，18v，20v或任何其他中间值。
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连接在晶体管bd1的集电极/基极之间的131k电阻通常意味着bd131始终保持导通模式。
然而，4.3 v 齐纳二极管 zd1 将晶体管 2n697 的基极电压箝位至比 bjt bd4 的发射极电压低约 3.131 伏。2n697
的基极电压相对于其发射极电压达到约 0.6 v 正极，即开始导通，此时 bd131 发射极达到约 4.9 v 正电位。
此时的升高电压允许更多的电流流过2n697（导电晶体管底部每上升80
mv，集电极电流就会增加10倍），导致晶体管通过lk电阻吸收更多电流，从而降低bd131的基极/发射极电压。
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