四种类型的MOSFET的主要区别
四种类型的mosfet的电路符号
mosfet （metal -oxide semiconductor field effect transistor）是金属-氧化物半导体场效应晶体管的英文缩写，由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，它属于电压控制型半导体器件。根据导电沟道类型和栅极驱动电压的不同，可以分为n沟道-增强型mosfet、n沟道-耗尽型mosfet、p沟道-增强型mosfet、p沟道-耗尽型mosfet四种类型。
四种类型的mosfet的主要区别如下：
n沟道-增强型mosfet
导电沟道是n型半导体，开通电压vth ＞0v。当栅-源电压vgs =0v时，其导电沟道尚未形成，器件处于关断状态；当外加栅-源电压vgs >vth时，其导电沟道因反型而形成，器件处于开通状态。由于在栅-源电压零偏时，器件处于关断状态，增强型器件又称为“常关”（normally off）器件。
n沟道-耗尽型mosfet
导电沟道是n型半导体，关断电压vgs (off) ＜0v。当栅-源电压vgs =0v时，其导电沟道就已经存在，器件处于导通状态；当外加栅-源电压vgs ＜vgs(off) 时，其导电沟道因耗尽而消失，器件处于关断状态。由于在栅-源电压零偏时，器件处于导通状态，耗尽型器件又称为“常开”（normally on）器件。
p沟道-增强型mosfet
导电沟道是p型半导体，开通电压vth ＜0v。当栅-源电压vgs =0v时，其导电沟道尚未形成，器件处于关断状态；当外加栅-源电压vgs ＜vth时，其导电沟道因反型而形成，器件处于开通状态。
p沟道-耗尽型mosfet
导电沟道是p型半导体，关断电压vgs(off) ＞0v。当栅-源电压vgs =0v时，其导电沟道就已经存在，器件处于导通状态；当外加栅-源电压vgs ＞vgs(off) 时，其导电沟道因耗尽而消失，器件处于关断状态。
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n沟道-耗尽型mosfet
导电沟道是n型半导体，关断电压vgs (off) ＜0v。当栅-源电压vgs =0v时，其导电沟道就已经存在，器件处于导通状态；当外加栅-源电压vgs ＜vgs(off) 时，其导电沟道因耗尽而消失，器件处于关断状态。由于在栅-源电压零偏时，器件处于导通状态，耗尽型器件又称为“常开”（normally on）器件。
p沟道-增强型mosfet
导电沟道是p型半导体，开通电压vth ＜0v。当栅-源电压vgs =0v时，其导电沟道尚未形成，器件处于关断状态；当外加栅-源电压vgs ＜vth时，其导电沟道因反型而形成，器件处于开通状态。
p沟道-耗尽型mosfet
导电沟道是p型半导体，关断电压vgs(off) ＞0v。当栅-源电压vgs =0v时，其导电沟道就已经存在，器件处于导通状态；当外加栅-源电压vgs ＞vgs(off) 时，其导电沟道因耗尽而消失，器件处于关断状态。
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