大联大推出3.3KW高功率密度双向相移全桥方案
2024年1月4日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布其旗下品佳推出基于英飞凌（infineon）xmc4200微控制器和cfd7 coolmos mosfet的3.3kw高功率密度双向相移全桥方案。
图示1-大联大品佳基于infineon产品的3.3kw高功率密度双向相移全桥方案的展示板图
当前，全球对于可再生能源的关注度日益提高，作为一种可持续发展的清洁能源，太阳能已被广泛应用于家庭、工业和商业等各个领域。然而，随着太阳能的应用范围进一步扩大，业内迫切需要更高效率的能源转换技术来提升太阳能系统的性能。对此，大联大品佳基于infineon xmc4200微控制器和cfd7 coolmos mosfet推出3.3kw高功率密度双向相移全桥（psfb）方案，其通过先进的半导体器件及控制算法将psfb拓扑设计的效率达到了全新水平。
图示2-大联大品佳基于infineon产品的3.3kw高功率密度双向相移全桥方案的场景应用图
xmc4200是一款基于arm cortex-m4内核的工业级微控制器，具有16位和32位thumb2指令集、dsp/mac指令、浮点单元、存储器保护单元以及嵌套矢量中断控制器。内部集成了16kb引导rom，拥有多达16kb高速程序存储器、24kb高速数据存储器和256kb带闪存以及丰富的通信外设，能够在严苛的工业环境中实现出色的性能。
cfd7 coolmos mosfet是infineon旗下cfd7系列具有集成快速体二极管的高压超级结mosfet技术的产品，非常适用于高功率smps应用，如服务器/电信/ev充电站等。通过将表面贴装器件（smd）封装中的一流600v cfd7 coolmos mosfet与150v optimos 5同步整流器结合使用，可以在buck模式下实现98%的效率，在boost模式下实现97%的效率。
图示3-大联大品佳基于infineon产品的3.3kw高功率密度双向相移全桥方案的方块图
得益于半导体产品的出色性能和先进smd封装技术以及创新的堆叠磁性结构，本方案可实现4.34 w/cm³（71.19 w/in³）的功率密度，再一次证明了psfb拓扑可以用作双向dc/dc阶段。并且在不改变传统拓扑标准或构造的情况下，实现更加出色的能源效率。
核心技术优势
具有高功率密度、高效率；
以相移全桥（psfb）实现双向能量转换器；
具有20μs 140%加负荷；
以cfd7系列mos实现高效率可能性；
具有多种保护模式和可配置参数，提高产品设计灵活度。
方案规格
输入电压及频率操作为：dc 380v；
输出电压为：60v - 40v；
降压模式效率高达98%，升压模式效率高达97%；
功率密度为4.34 w/cm³（71.19 w/in³）；
采用thinpak 封装的infineon coolmos cfd7。
采用全差分flip-around结构的高性能采样保持电路
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具有高功率密度、高效率；
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具有20μs 140%加负荷；
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方案规格
输入电压及频率操作为：dc 380v；
输出电压为：60v - 40v；
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采用thinpak 封装的infineon coolmos cfd7。
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