详细剖析28V通用型GaN射频功率器件以及应用
产品概述
1.无内匹配设计，最大化产品的宽带特性和通用性。
2.依据芯片和封装的不同组合，功率涵盖6w-180w等多种档次,频率高达6ghz。
3.产品兼容28-32v供电，产品定标于28v。
4.固晶(die attach)，键合(wire bonding)，封装(package)等金属化环节全面采用金(au)系统
5.业界标准的封装形式，产品默认形态为有耳形式(eared), 可同时满足焊接和螺钉固定等多种装配要求。(并提供无耳earless形式的封装，具体请咨询我们)。包括
单端(single ended) 器件：mme/gxb
推挽对管(push pull)器件：lbb
6.高导热材料法兰底座，有效提高产品性能和可靠性
7.产品执行完整的直流和射频测试，确保性能批量一致性。
8.结温控制在200摄氏度以下可确保百万小时量级的平均无故障时间。
产品目录
应用场景
gan hemt (氮化镓高电子迁移率晶体管) 因其具备的高功率密度、低寄生参数和高截至频率 (ft) 等固有特性，可以作为以下场合的器件首选：
3ghz以上所有形式的功率放大器
3ghz以下ldmos等技术不能满足的高效率窄带功率放大器
匹配紧凑或小型化功率放大器
>20%相对带宽的宽带功率放大器
超宽带及倍频程功率放大器
开关模式或谐波调制方式工作的功率放大器
典型应用：
宽带及超宽带通信
移动通信
测试及测量放大器
商业脉冲放大器
线性放大器
工业/科技/医疗
应用要点
1.器件的管脚定义
考虑到和ldmos产品的兼容性以及绝大多数客户的使用习惯，器件的输出管腿,即drain极默认为有缺角的一侧，另外一侧为输入栅极，和市场上的部分品牌不同，请客户使用时注意。
2.器件的安装方式建议
通常我们的应用演示电路都采用将器件直接焊接的方式，以获得最低的整体热阻并有效降低接地带来的源极电感，这对于氮化镓这种高功率密度的器件尤为重要，特别是宽带高功率等场合应用的时候，我们建议客户焊接器件使用。如客户不能焊接器件，必须采用常规螺钉固定等方式的时候，请注意提供有效散热。
3.如何考虑器件的升压使用
通常器件是在28v进行性能定标的，如果客户需要获得更高的输出功率或者改善线性等，提高工作电压是可行手段，例如从28v提升至32v,通常有0.5-1db的功率提升；在获得收益的同时，请留意相应提高的散热压力等负面因素。我们的器件建议在32v以下使用，如果需要进一步提升电压，请咨询我们。
4.如何理解器件的输出功率
我们对功率输出能力的标定，考虑了芯片的功率密度以及应用环境等因素，通常以中等带宽条件下可实现的输出能力为准。客户使用场合的不同，会体会到不同的输出功率。同时，标称功率均指3db压缩条件下的饱和输出功率。以nme4004h为例，作为一个标称40w的器件，在窄带或者点频使用中，可以实现大于50w的输出，但应用在倍频程等超宽带场合，全频段的最低输出能力又会下降到40w以下，例如30w。具体请咨询我们的技术支持。
5.连续波cw和脉冲应用
器件均支持连续波和脉冲应用，在常见散热条件下，脉冲功率略高于连续波功率。
6.28v 通用型氮化镓可以用到移动通信功率放大器中吗？
可以，在sub-6ghz所有的应用上，包括移动通信所有的频段内都可以使用。但是考虑到移动通信的特点，我们针对移动通信常见频段进行了相应的优化内匹配设计，开发出了更有针对性的产品(telecom 28v gan， 另行介绍)。
7.28v 氮化镓产品使用在较低的hf/vhf频段合适吗？
氮化镓的主要优势在于高频和宽带。在较低的hf/vhf使用氮化镓，需要额外考虑极高增益带来的器件稳定性设计。同时可以考虑我们高性能的28v ldmos，可以获得与氮化镓相近的射频性能。
超宽带应用范例
nme6003h 150-3000mhz 15w
nu4012h 900-3000mhz 60w
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3.产品兼容28-32v供电，产品定标于28v。
4.固晶(die attach)，键合(wire bonding)，封装(package)等金属化环节全面采用金(au)系统
5.业界标准的封装形式，产品默认形态为有耳形式(eared), 可同时满足焊接和螺钉固定等多种装配要求。(并提供无耳earless形式的封装，具体请咨询我们)。包括
单端(single ended) 器件：mme/gxb
推挽对管(push pull)器件：lbb
6.高导热材料法兰底座，有效提高产品性能和可靠性
7.产品执行完整的直流和射频测试，确保性能批量一致性。
8.结温控制在200摄氏度以下可确保百万小时量级的平均无故障时间。
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应用场景
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考虑到和ldmos产品的兼容性以及绝大多数客户的使用习惯，器件的输出管腿,即drain极默认为有缺角的一侧，另外一侧为输入栅极，和市场上的部分品牌不同，请客户使用时注意。
2.器件的安装方式建议
通常我们的应用演示电路都采用将器件直接焊接的方式，以获得最低的整体热阻并有效降低接地带来的源极电感，这对于氮化镓这种高功率密度的器件尤为重要，特别是宽带高功率等场合应用的时候，我们建议客户焊接器件使用。如客户不能焊接器件，必须采用常规螺钉固定等方式的时候，请注意提供有效散热。
3.如何考虑器件的升压使用
通常器件是在28v进行性能定标的，如果客户需要获得更高的输出功率或者改善线性等，提高工作电压是可行手段，例如从28v提升至32v,通常有0.5-1db的功率提升；在获得收益的同时，请留意相应提高的散热压力等负面因素。我们的器件建议在32v以下使用，如果需要进一步提升电压，请咨询我们。
4.如何理解器件的输出功率
我们对功率输出能力的标定，考虑了芯片的功率密度以及应用环境等因素，通常以中等带宽条件下可实现的输出能力为准。客户使用场合的不同，会体会到不同的输出功率。同时，标称功率均指3db压缩条件下的饱和输出功率。以nme4004h为例，作为一个标称40w的器件，在窄带或者点频使用中，可以实现大于50w的输出，但应用在倍频程等超宽带场合，全频段的最低输出能力又会下降到40w以下，例如30w。具体请咨询我们的技术支持。
5.连续波cw和脉冲应用
器件均支持连续波和脉冲应用，在常见散热条件下，脉冲功率略高于连续波功率。
6.28v 通用型氮化镓可以用到移动通信功率放大器中吗？
可以，在sub-6ghz所有的应用上，包括移动通信所有的频段内都可以使用。但是考虑到移动通信的特点，我们针对移动通信常见频段进行了相应的优化内匹配设计，开发出了更有针对性的产品(telecom 28v gan， 另行介绍)。
7.28v 氮化镓产品使用在较低的hf/vhf频段合适吗？
氮化镓的主要优势在于高频和宽带。在较低的hf/vhf使用氮化镓，需要额外考虑极高增益带来的器件稳定性设计。同时可以考虑我们高性能的28v ldmos，可以获得与氮化镓相近的射频性能。
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