三星2017年半导体行业巨额开支,欲打击中国存储器竞技资格
据了解，在今年的半导体行业中三星豪掷260亿美元投资其中，数额增至260亿美元被称为半导体史上最大的投资额度。三星的巨额投资将会影响该行业未来的格局。或有可能压制中国储存器厂商的发展。
根据ic insights最新发布的17年麦克林报告指出，今年半导体行业资本支出增长35%，达到908亿美元。
而三星今年在半导体产业支出达到260亿美元，是去年支出的两倍还多。ic insights总裁bill mcclean表示：“我追踪半导体行业的37年里，从没有见过如此激烈的半导体资本支出增长。 可见，今年三星的巨额开支在半导体行业史上是史无前例的。”
下图显示了自2010年以来三星为其半导体产业投入的资本支出。2010年，该公司首次为半导体产业投入了超过100亿美元。 直至2016年已达到113亿美元，这也是连续7年超过100亿美元。而今年的资本支出更有望达到新高，激增至260亿美元。
ic insights预计，三星在2017年第四季度半导体行业资本支出为86亿美元，将占到其262亿美元总开支预算的33%。同时，三星半导体四季度销售额有望占到全球半导体销售额的16%左右。
ic insights估计，今年三星260亿美元的半导体支出将分成如下几部分： 3d nand闪存：140亿美元（包括在平泽工厂的产能大幅增长） dram：70亿美元（用于流程迁移和弥补由于迁移造成的容量损失的额外容量） 代工/其他：50亿美元（用于提升10纳米制程能力）
ic insights认为，今年三星的巨额支出将会对该行业未来格局产生巨大影响。 3d nand闪存市场可能因此出现产能过剩时期。 这种产能过剩的情况不仅是由于三星在3d nand闪存方面的巨额支出，而且也是由于竞争对手（例如sk海力士，美光，东芝，英特尔等公司）的大力投入所致。 在某种程度上讲，三星的竞争对手只能提高产能，不然只能坐吃山空。
ic insights认为，三星半导体的资本开支预计将会扼杀中国储存器厂商的发展，因为一定程度上，他们在打击自主发展的中国厂商与存储器巨头同场竞技的资格。那么，中国储存器厂商何去何从，这将是迫在眉睫需要仔细思考的问题。
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