堆叠式DRAM存储节点相关部分的结构分析
在下面的图中显示了堆叠式dram存储节点相关部分的结构图。下图(a)显示了堆叠式dram存储节点接触(snc)结构。在图中我们可以较为清楚的看出来，snc孔通过sac栓塞与aa阵列的两个侧面连接。导电的栓塞可以通过多晶硅或钨形成，这哥形成的技术选择与技术节点有关。
通常在导电层沉积前，需要沉积一层氮化硅并回刻蚀在snc孔的侧壁上形成衬垫，采用了这种方式之后，从而可以防止位线到导电栓塞的短路。
下图(a)显示了存储节点的版图设计图纸，这里需要进行一些细致的说明，下图(b)为沿下图(a)所示虚线的sn孔横截面图。可以看出，sn孔与snc栓塞连接，其中snc栓塞是通过在sac之上的方式来与aa阵列的两个侧面连接，而不是直接进行连接。
为了形成存储器电容，首先需要两个导电层作为电容的上下极板，然后通过在两个导电层上面分别接上电源的正负极形成两个电极，绝缘层夹在两者之间，以作为电容的填充电容。下图显示了sn电容形成过程。sn孔刻蚀和清洗后，沉积如多晶硅或氮化钛(tin)的导体层，如下图(a)所示。由于sn孔的长宽比非常大，导电层需要有很好的侧壁和底部阶梯覆盖性。
通常在sn电极层沉积后用光刻胶填充保护孔中的导电薄膜，利用回刻蚀过程去除表面导电膜，如下图(b)所示。可以看出sn电极与snc栓塞连接，而snc栓塞通过sac栓塞与aa层的两个侧面连接。当光刻胶从sn孔去除后，电介层被沉积在表面并进入sn孔，如下图(c)所示。
为了形成具有这种特性的电容的电介质，需要侧壁和底部的阶梯覆盖具有统一性，因而这两者必须采用一定的工艺来保证统一性。。下图(d)为导体沉积形成sn电容的接地电极。该导电层将在下一次光刻过程中从外围区域去除，从而就完成了dram器件的一部分工艺，并开始beol互连后端工艺。
随着技术节点的缩小，sn孔的尺寸变得更小。为了获得30pfsn电容以保存足够的电荷存储数据，当电容结构和介质材料不变的情况下，必须增加sn孔的深宽比。为了减小sn孔的深宽比，人们已经开发了许多技术。使用高电介质可以减少sn孔的高度和深宽比。之前使用二氧化硅、氮化硅和氧化硅叠层。如氧化铝(a12o3)、二氧化合(hfo2)和二氧锆^(zro2)等高k材料已经用于sn电容。
其他减小sn孔高度的方法是减少sn电极形成后的ild3,这样可以在sn电极的两边形成接地电极。之前多晶硅作为电极材料被广泛使用，而先进的dram芯片开始使用tin作为sn电极。下图显示了新型堆叠式dram结构，其中晶体管阵列具有凹栅(rg)结构，使用tin作为sn电极，凹型ild3,高电介质层，三层金属互连接地电极。凹栅(rg)结构用于降低nmos晶体管阵列的短通道效应(sce),因为当特征尺寸缩小时这种效应变得严重。
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下图(a)显示了存储节点的版图设计图纸，这里需要进行一些细致的说明，下图(b)为沿下图(a)所示虚线的sn孔横截面图。可以看出，sn孔与snc栓塞连接，其中snc栓塞是通过在sac之上的方式来与aa阵列的两个侧面连接，而不是直接进行连接。
为了形成存储器电容，首先需要两个导电层作为电容的上下极板，然后通过在两个导电层上面分别接上电源的正负极形成两个电极，绝缘层夹在两者之间，以作为电容的填充电容。下图显示了sn电容形成过程。sn孔刻蚀和清洗后，沉积如多晶硅或氮化钛(tin)的导体层，如下图(a)所示。由于sn孔的长宽比非常大，导电层需要有很好的侧壁和底部阶梯覆盖性。
通常在sn电极层沉积后用光刻胶填充保护孔中的导电薄膜，利用回刻蚀过程去除表面导电膜，如下图(b)所示。可以看出sn电极与snc栓塞连接，而snc栓塞通过sac栓塞与aa层的两个侧面连接。当光刻胶从sn孔去除后，电介层被沉积在表面并进入sn孔，如下图(c)所示。
为了形成具有这种特性的电容的电介质，需要侧壁和底部的阶梯覆盖具有统一性，因而这两者必须采用一定的工艺来保证统一性。。下图(d)为导体沉积形成sn电容的接地电极。该导电层将在下一次光刻过程中从外围区域去除，从而就完成了dram器件的一部分工艺，并开始beol互连后端工艺。
随着技术节点的缩小，sn孔的尺寸变得更小。为了获得30pfsn电容以保存足够的电荷存储数据，当电容结构和介质材料不变的情况下，必须增加sn孔的深宽比。为了减小sn孔的深宽比，人们已经开发了许多技术。使用高电介质可以减少sn孔的高度和深宽比。之前使用二氧化硅、氮化硅和氧化硅叠层。如氧化铝(a12o3)、二氧化合(hfo2)和二氧锆^(zro2)等高k材料已经用于sn电容。
其他减小sn孔高度的方法是减少sn电极形成后的ild3,这样可以在sn电极的两边形成接地电极。之前多晶硅作为电极材料被广泛使用，而先进的dram芯片开始使用tin作为sn电极。下图显示了新型堆叠式dram结构，其中晶体管阵列具有凹栅(rg)结构，使用tin作为sn电极，凹型ild3,高电介质层，三层金属互连接地电极。凹栅(rg)结构用于降低nmos晶体管阵列的短通道效应(sce),因为当特征尺寸缩小时这种效应变得严重。
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