DDR3芯片价格短线急涨近一成？
继标准型dram、储存型快闪记忆体（nand flash）市况谷底反弹后，ddr3利基型记忆体在国际大厂全力冲刺高频宽记忆体（hbm）、ddr5等高阶应用并空出ddr3市场带动下，推升ddr3芯片价格短线急涨近一成，本季合约价可望劲扬10%至15%，明年首季持续看俏，华邦（2344）、钰创、晶豪科等业者近期订单涌进，开始加大备货力道，喜迎涨价商机。
法人指出，标准型dram与nand芯片目前都由三星、sk海力士、美光等国际大厂主导，台厂在芯片制造端无法与其抗衡，仅模组厂有望以低价库存优势搭上dram与nand芯片市况反弹列车；ddr3制造则是台厂的天下，随着ddr3跟着涨价，对台湾记忆体业者帮助大。
业界人士分析，带动此波记忆体市况转扬的主要动能，在于国际大厂陆续减产的效益发酵，近期随着产能紧缩，更严格控制出货，完全展现要支撑价格上涨的决心。
另一方面，三星、sk海力士、美光积极跨足ai应用，将主要产能挪到生产高频宽记忆体、ddr5等高阶领域，也让ddr3市场出现空间，近期客户端回补库存以及消费性电子急单报到，研调机构集邦科技（trendforce）指出，ddr3报价从9月起陆续走扬，ddr3 4gb至今累计涨幅近一成，ddr3 2gb累计涨幅则有14%。
合约价方面，集邦预期本季将劲扬10%至15%，明年首季续强，有望再涨5%至10%。
ddr3相关业者均正向看待市况发展。钰创认为，随着库存消化告一段落，「循环谷底已过」，目前逐渐迎向复苏的曙光．正向看待明年全球dram市场将迎来显著成长。
晶豪科方面，该公司不断推进自家产品的进程，无论在dram、flash以及mcp产品，都持续开发新品，并跨足不同市场，包括加速19纳米dram记忆体ic研发、完成28纳米nand flash产品量产，另外也研发车规用的利基型记忆体ic产品。
华邦总经理陈沛铭指出，本季营运将优于第3季，看好明年dram市况。
供应链透露，随着产业经过逾一年库存去化，近期终端消费性电子急单大增，带动ddr3芯片需求喷发，因应客户需求，华邦、钰创向载板协力厂备货量激增，晶豪科投片量也有上升趋势，显示市况回温以及价格反转之际，业者无不积极备货迎接盛况。
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