氧化镓功率器件的研究新发展总结

‍氧化镓（ga2o3）以其禁带宽度大、击穿场强高、抗辐射能力强等优势，有望成为未来半导体电力电子领域的主力军。相比于目前常见的宽禁带半导体sic和gan，ga2o3的baliga品质因数更大、预期生长成本更低，在高压、大功率、高效率、小体积电子器件方面更具潜力。西安电子科技大学微电子学院何云龙、郑雪峰教授团队针对ga2o3外延材料、功率二极管和功率晶体管的国内外最新研究进行了概括总结，展望了ga2o3在未来的应用与发展前景。

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