一文详解闪存flash读写的原理
首先讲述的是基本原理，因为前面总结了很多基本原理，所以这个位置比较粗略的带过。
1、基本原理
从图上可以看出，vt为开启电压，对于n沟道的cmos，当门极加的电压逐渐变大的时候，多数载流子被门极所吸引，向上移动，形成n型沟道，n型半导体即被导通，有导通电流。开始有导通电流的门极所加的电压我们称为开启电压，随着开启电压的增大，电流逐渐增大。这就是cmos管的基本原理。
从cmos管过渡到nandflash：
和cmos不同的是，在门极附近加了浮栅，浮栅的两边是氧化层。
当写的时候，加入足够大的门极电压，就可以通过氧化层的隧穿效应，将电子打入到浮栅中完成写0的过程；
当擦除的时候，就加反向电压同样利用隧穿效应让电子从氧化层出来，就可以完成擦除功能。
当读的时候，由于浮栅里面有电子，会有反向电场，这个时候会导致开启电压增大，读的时候就是靠这个特性，给门极加大于开启的电压的电压值，则沟道导通，会有导通电流，通过导通电流即可分析是否是0。
从这个图可以看出，以mlc为例，怎么读出mlc的数据呢，同样是按照之前的探测电压的方式，通过步进的探测电压，探测三个阈值，如果探测电压下有电流检测到，则表示是什么样的数据值，这就是cell多bit的读操作原理。
三种方式的读写擦以及pe的比较：
从这个图可以看出，tlc主要是写很慢，但是存储密度大；slc读写速度慢，但是密度小。
字线和位线的原理，之前已经有讲述，这里不再多讲了。
从和这个图上看到，nandflash最坏的一点就是异地更新（out-of-placeupdate）
什么叫做异地更新呢？？
就是当我们要对某个page的数据进行更新的时候，我们不能直接像这个page写，因为这个page不是空白页，已经被写了，这个时候我们只能将这个page复制到其他空白页，然后在测试这个block，然后在写入，十分的不方便，就是因为有数据更新写的时候要进行异地复制，擦除，再写。
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