ASML新动态:ASML已完成1nm芯片EUV光刻机设计
asml已完成1nm芯片euv光刻机设计，并加强与台积电和三星的合作
asml对中国大陆市场出口持开放态度，euv等出口许可证
半导体光刻与刻蚀论坛2020将于2020年12月30-31日上海召开，光刻产业链国际动态与国产化发展机遇将是重要内容。
——asml已完成1nm芯片euv光刻机设计
2020年11月中旬，日本东京举行了 itf（imec technology forum,. itf）论坛。在论坛上，与荷兰商半导体大厂艾司摩尔（asml） 合作研发半导体光刻机的比利时半导体研究所(imec)正式公布了 3 纳米及以下工艺的在微缩层面的相关技术细节。
根据其所公布的内容来看，asml 对于 3 纳米、2 纳米、1.5 纳米、1 纳米，甚至是小于 1 纳米的工艺都做了清楚的发展规划，代表着 asml 基本上已经能开发 1 纳米工艺的光刻设备。
在论坛中，imec 公司总裁兼首席技术官 luc van den hove 在主题演说中先介绍了公司研究概况，强调透过与 asml 的紧密合作，以及将下一代高辨识率极紫外光 (euv) 光刻技术进行了商业化。imec公司强调，将继续把工艺规模缩小到1nm及以下。包括日本在内的许多半导体公司相继退出了工艺小型化，声称摩尔定律已经走到了尽头，或者说成本太高，无利可图。
根据台积电和三星电子介绍，从 7 纳米工艺技术开始，部分工艺技术已经推出了 na=0.33 的 euv 光刻设备，5 纳米工艺技术也达成了频率的提升，但对于 2 纳米以后的超精细工艺技术，则还是需要能够达成更高的辨识率和更高 na （na=0.55） 的光刻设备。
据imec介绍，asml已经完成了作为nxe:5000系列的高na euv光刻系统的基本设计，但商业化计划在2022年左右。这套下一代系统将因其巨大的光学系统而变得非常高大，很有可能顶在传统洁净室的天花板下。
asml目前在售的两款极紫外光刻机分别是twinscan nxe:3400b和twinscan nxe:3400c，3600d计划明年年中出货，生产效率将提升18%。
asml过去一直与imec紧密合作开发光刻技术，但为了开发使用高na euv光刻工具的光刻工艺，在imec的园区里成立了新的“imec-asml高na euv实验室”，以促进共同开发和开发使用高na euv光刻工具的光刻工艺。该公司还计划与材料供应商合作开发掩模和抗蚀剂。
van den hove最后表示：“逻辑器件工艺小型化的目的是降低功耗、提高性能、减少面积、降低成本，也就是通常所说的ppac。除了这四个目标外，随着小型化向3nm、2nm、1.5nm，甚至超越1nm，达到亚1nm，我们将努力实现环境友好、适合可持续发展社会的微处理器。”他表示，将继续致力于工艺小型化，表现出了极大的热情。
——台积电大规模购买euv光刻机，保持业界领先地位
近期媒体报道，台积电表示其部署的极紫外光(euv)光刻工具已占全球安装和运行总量的50%左右，这意味着其使用的euv机器数量超过了业内其他任何一家公司。为了保持领先，台积电已经下单订购了至少13台asml的twinscan nxe euv光刻机，将会在2021年全年交付，不过具体的交付和安装时间表尚不清楚。同时，明年台积电实际需求的数量可能是高达16到17台euv光刻机。
目前，台积电使用asml的twinscan nxe euv光刻机在其n7+以及n5节点上制造芯片，但在未来几个季度，该公司将增加n6（实际上将在2020年第四季度或2021年第一季度进入hvm）以及同样具有euv层的n5p工艺。台积电对euv工具的需求正在增加是因为其技术越来越复杂，更多地方需要使用极紫外光刻工具处理。台积电的n7+使用euv来处理最多4层，以减少制造高度复杂的电路时多图案技术的使用。
根据asml的官方数据，2018年至2019年，每月产能约4.5万片晶圆（wspm），一个euv层需要一台twinscan nxe光刻机。随着工具生产效率的提高，wspm的数量也在增长。如果要为一个准备使用n3或更先进节点制造工艺的gigafab（产能高于每月10万片）配备设备，台积电在该晶圆厂至少需要40台euv光刻设备。
asml最新推出的twinscan nxe:3400b和nxe:3400c光刻系统价格相当昂贵。早在10月份，asml就透露，其订单中的4套euv系统价值5.95亿欧元(约合7.03亿美元)，因此单台设备的成本可能高达1.4875亿欧元(1.7575亿美元)。也就是说，13套euv设备可能要花费台积电高达22.84亿美元。
但在euv工具方面，钱并不是唯一的考虑因素。asml是唯一生产和安装euv光刻机的公司，它的生产和安装能力相对有限。在对其生产工艺进行调整后，该公司认为可以将单台机器的周期缩减到20周，这样一来，每年的产能将达到45到50套系统。
2020年前三季度，asml已经出货了23台euv光刻机，预计全年销售量比2020年原计划的35台少一点。截至目前，asml已累计出货83台商用euv光刻机（其中包括2015年第一季度至2020年第三季度销售的nxe:3350b、nxe:3400b和nxe:3400c）。如果台积电官方关于拥有全球已安装和运行twinscan nxe光刻机中约50%这个说法是正确的，那么目前可能已经拥有30至40台euv光刻机。
台积电不是唯一采购大量euv光刻机的半导体制造商。三星目前只使用euv工艺来生产其7lpp和5lpe soc以及一些dram，但随着三星晶圆厂扩大euvl工艺在生产上的应用，三星半导体也提高了基于euv工艺的dram的生产，最终将不可避免地采购更多的twinscan nxe光刻机。预计英特尔也将在2022年开始使用其7nm节点生产芯片时，将开始部署euvl设备，很可能在未来几年成为euvl设备的主要采用者之一。
未来几年全球对euv光刻机的需求只会增加，但从目前的情况来看，在未来一段时间内，台积电仍将是这些光刻设备的主要采购者，三星和英特尔将紧随其后。
——三星加强与asml的技术和投资合作
近日，包括ceo peter burnink在内的asml高管于访问了三星的半导体工厂，讨论了在euv光刻机供应和开发方面的合作。
asml高管与三星副董事长金基南进行了会谈。业内人士认为，三星在此次会谈中要求asml供应更多的euv光刻机，并讨论了双方在开发下一代euv光刻机方面的合作。
据悉，三星需要更多的euv光刻机来扩大其在全球晶圆制造市场的份额。然而，作为世界上唯一的euv光刻机制造商，asml向台积电提供的设备要多于三星。因此三星希望与asml建立技术联盟，以确保下一代euv光刻机的供应。对于asml来说，与三星的投资合作是必要的，因为开发下一代euv光刻机需要大量投资。
该报道指出，三星希望投资开发高数值孔径的euv光刻机，以提高半导体微制造所需的电路分辨率。该设备的价格预计为每台5000亿韩元，比目前的euv设备高出2到3倍。asml计划在2023年年中推出该设备的原型，三星则希望优先获得asml的供应，以在技术上领先台积电。
不过，三星一位官员表示，会议并没有做出具体的投资决定。他说，asml高管到访三星是为了回应李在镕10月份访问asml总部。另有消息称，asml的高管此次还会面了sk海力士总裁李石熙，双方讨论了扩大uv设备供应和促进合作的途径。
——对中国大陆出口持开放态度，euv等出口许可证
2020年11月上旬， asml全球副总裁、中国区总裁沈波透露，2020年二、三季度，该公司发往中国大陆地区的光刻机台数超过了全球总台数的20%。然而在2020年的进博会上，asml仅展示了duv光刻机，并没有展示新的euv光刻机。
对此，沈波表示，euv光刻机目前还在等荷兰政府的出口许可证。该公司须在遵守法律法规的前提下进行光刻机出口。沈波强调，该公司对向中国出口光刻机保持很开放态度。自30年前进入中国市场以来，该公司在中国总计为客户提供了700多台装机。
半导体光刻与刻蚀论坛2020将于2020年12月30-31日上海召开，光刻产业链国际动态与国产化发展机遇将是重要内容。
【半导体光刻与刻蚀材料、设备与技术论坛2020】
在政策和市场需求的双重驱动下，半导体光刻和刻蚀产业链将加速国产化进程。参与企业将面临空前的发展机遇。然而材料、技术与设备的竞争力提升，也将面临挑战。半导体光刻与刻蚀材料、设备与技术论坛2020将于12月30-31日在上海召开。会议由亚化咨询主办，多家国内外企业重点支持和参与，将对半导体产业核心工艺——光刻和刻蚀产业链的重点议题展开深入探讨。
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根据其所公布的内容来看，asml 对于 3 纳米、2 纳米、1.5 纳米、1 纳米，甚至是小于 1 纳米的工艺都做了清楚的发展规划，代表着 asml 基本上已经能开发 1 纳米工艺的光刻设备。
在论坛中，imec 公司总裁兼首席技术官 luc van den hove 在主题演说中先介绍了公司研究概况，强调透过与 asml 的紧密合作，以及将下一代高辨识率极紫外光 (euv) 光刻技术进行了商业化。imec公司强调，将继续把工艺规模缩小到1nm及以下。包括日本在内的许多半导体公司相继退出了工艺小型化，声称摩尔定律已经走到了尽头，或者说成本太高，无利可图。
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据imec介绍，asml已经完成了作为nxe:5000系列的高na euv光刻系统的基本设计，但商业化计划在2022年左右。这套下一代系统将因其巨大的光学系统而变得非常高大，很有可能顶在传统洁净室的天花板下。
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asml过去一直与imec紧密合作开发光刻技术，但为了开发使用高na euv光刻工具的光刻工艺，在imec的园区里成立了新的“imec-asml高na euv实验室”，以促进共同开发和开发使用高na euv光刻工具的光刻工艺。该公司还计划与材料供应商合作开发掩模和抗蚀剂。
van den hove最后表示：“逻辑器件工艺小型化的目的是降低功耗、提高性能、减少面积、降低成本，也就是通常所说的ppac。除了这四个目标外，随着小型化向3nm、2nm、1.5nm，甚至超越1nm，达到亚1nm，我们将努力实现环境友好、适合可持续发展社会的微处理器。”他表示，将继续致力于工艺小型化，表现出了极大的热情。
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根据asml的官方数据，2018年至2019年，每月产能约4.5万片晶圆（wspm），一个euv层需要一台twinscan nxe光刻机。随着工具生产效率的提高，wspm的数量也在增长。如果要为一个准备使用n3或更先进节点制造工艺的gigafab（产能高于每月10万片）配备设备，台积电在该晶圆厂至少需要40台euv光刻设备。
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但在euv工具方面，钱并不是唯一的考虑因素。asml是唯一生产和安装euv光刻机的公司，它的生产和安装能力相对有限。在对其生产工艺进行调整后，该公司认为可以将单台机器的周期缩减到20周，这样一来，每年的产能将达到45到50套系统。
2020年前三季度，asml已经出货了23台euv光刻机，预计全年销售量比2020年原计划的35台少一点。截至目前，asml已累计出货83台商用euv光刻机（其中包括2015年第一季度至2020年第三季度销售的nxe:3350b、nxe:3400b和nxe:3400c）。如果台积电官方关于拥有全球已安装和运行twinscan nxe光刻机中约50%这个说法是正确的，那么目前可能已经拥有30至40台euv光刻机。
台积电不是唯一采购大量euv光刻机的半导体制造商。三星目前只使用euv工艺来生产其7lpp和5lpe soc以及一些dram，但随着三星晶圆厂扩大euvl工艺在生产上的应用，三星半导体也提高了基于euv工艺的dram的生产，最终将不可避免地采购更多的twinscan nxe光刻机。预计英特尔也将在2022年开始使用其7nm节点生产芯片时，将开始部署euvl设备，很可能在未来几年成为euvl设备的主要采用者之一。
未来几年全球对euv光刻机的需求只会增加，但从目前的情况来看，在未来一段时间内，台积电仍将是这些光刻设备的主要采购者，三星和英特尔将紧随其后。
——三星加强与asml的技术和投资合作
近日，包括ceo peter burnink在内的asml高管于访问了三星的半导体工厂，讨论了在euv光刻机供应和开发方面的合作。
asml高管与三星副董事长金基南进行了会谈。业内人士认为，三星在此次会谈中要求asml供应更多的euv光刻机，并讨论了双方在开发下一代euv光刻机方面的合作。
据悉，三星需要更多的euv光刻机来扩大其在全球晶圆制造市场的份额。然而，作为世界上唯一的euv光刻机制造商，asml向台积电提供的设备要多于三星。因此三星希望与asml建立技术联盟，以确保下一代euv光刻机的供应。对于asml来说，与三星的投资合作是必要的，因为开发下一代euv光刻机需要大量投资。
该报道指出，三星希望投资开发高数值孔径的euv光刻机，以提高半导体微制造所需的电路分辨率。该设备的价格预计为每台5000亿韩元，比目前的euv设备高出2到3倍。asml计划在2023年年中推出该设备的原型，三星则希望优先获得asml的供应，以在技术上领先台积电。
不过，三星一位官员表示，会议并没有做出具体的投资决定。他说，asml高管到访三星是为了回应李在镕10月份访问asml总部。另有消息称，asml的高管此次还会面了sk海力士总裁李石熙，双方讨论了扩大uv设备供应和促进合作的途径。
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对此，沈波表示，euv光刻机目前还在等荷兰政府的出口许可证。该公司须在遵守法律法规的前提下进行光刻机出口。沈波强调，该公司对向中国出口光刻机保持很开放态度。自30年前进入中国市场以来，该公司在中国总计为客户提供了700多台装机。
半导体光刻与刻蚀论坛2020将于2020年12月30-31日上海召开，光刻产业链国际动态与国产化发展机遇将是重要内容。
【半导体光刻与刻蚀材料、设备与技术论坛2020】
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