DRAM的发展史及结构解析
dram的发展史：
fpm/edo：1996年以前应用为主，soj包装模式，运作频率和cpu的总线异步。
sdram：开始导入dram运作频率和cpu的总线频率同步。所以称为同步dram.同步控制的技术使得cpu和内存的timingcycle同步，计算机的整体效率亦大幅提升，目前dram都是架构在sdr之上演进而成。
ddr（doubledatarate）：同一频率送出2组数据（正/负），速度较sdr快一倍，引入dll电路。内存速度400~500mhz。
ddr2：提高内存速度到800~1066mhz。因应速度提升引入提升讯号质量功能（ex：odt/ocd.。）及commandbus新指令（postedcas&additivelatency）。
ddr3：提高内存速度到1066~1866mhz。持续因应速度提升引入提升信号质量功能，dynamicodt，m.p.r/writelevelmemorytraining功能。
ddr4：工作电压1.2v，工作频率有2133mhz、2400mhz、2666mhz、2800mhz、3000mhz和3200mhz等分类。
ddr5：工作电压1.1v，内存带宽是ddr4的两倍--3.2-6.4gbps.频率达4800mhz~6400mhz。
dram的接口结构
上图是一个半导体存储器的分类树形图。可见dram只是ram中的一种，ram一般用作缓冲，而rom一般用作代码存储。缓冲越大，系统的性能将会越好，特别是对于大型操作系统，ram的性能有时就代表了一个系统的性能。
ddr全称为ddrsdram（doubledataratesynchronousdynamicrandomaccessmemory）双倍速率同步动态随机存储器，ddrsdram最早是由三星公司于1996年提出，由日本电气、三菱、富士通、东芝、日立、德州仪器、三星及现代等八家公司协议订立的内存规格，并得到了intel和amd等主要芯片组厂商的支持，当前已经从第一代ddrsdram发展到ddr4，即将发布ddr5.怎么样区分呢？
ddrsdram供电：2.5v
ddr2供电：1.8v
ddr3供电：1.5v
ddr4供电：1.2v
ddr5供电：1.1v
为降低功耗，又发展了lpddr、lpddr2、lpddr3、lpddr4及ddr3l，它们的供电分别为：
ddr3l供电：1.35v
ddr3u供电：1.25v
lpddr2供电：1.5v
lpddr3供电：1.2v
lpddr4供电：1.1v（采用lvstl--lowvoltageswingterminatedlogic）
电气接口：电气接口则由「lvttl」改变为「sstl2」。ddrsdram则是以数据传输量作为命名原则，例如pc1600以及pc2100，单位mb/s。所以ddrsdram中的ddr200其实与pc1600是相同的规格，数据传输量为1600mb/s（64bit×100mhz×2÷8=1600mbytes/s），而ddr266与pc2100也是一样的情形64bit×133mhz×2÷8=2128mbytes/s。
gddr（graphicsdoubledatarate）：是用于显示的ram技术，其特点是高带宽、高延时。gddr5技术实际来源于ddr3，只不过降低了电压，减少了位宽（但支持更多channel），通过数据编码和读写线分开提高了数据速率（3g~6gt/s）。gddr5已经使用了将近10年，目前最新的标准是gddr6。
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sdram：开始导入dram运作频率和cpu的总线频率同步。所以称为同步dram.同步控制的技术使得cpu和内存的timingcycle同步，计算机的整体效率亦大幅提升，目前dram都是架构在sdr之上演进而成。
ddr（doubledatarate）：同一频率送出2组数据（正/负），速度较sdr快一倍，引入dll电路。内存速度400~500mhz。
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ddr全称为ddrsdram（doubledataratesynchronousdynamicrandomaccessmemory）双倍速率同步动态随机存储器，ddrsdram最早是由三星公司于1996年提出，由日本电气、三菱、富士通、东芝、日立、德州仪器、三星及现代等八家公司协议订立的内存规格，并得到了intel和amd等主要芯片组厂商的支持，当前已经从第一代ddrsdram发展到ddr4，即将发布ddr5.怎么样区分呢？
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ddr2供电：1.8v
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ddr4供电：1.2v
ddr5供电：1.1v
为降低功耗，又发展了lpddr、lpddr2、lpddr3、lpddr4及ddr3l，它们的供电分别为：
ddr3l供电：1.35v
ddr3u供电：1.25v
lpddr2供电：1.5v
lpddr3供电：1.2v
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gddr（graphicsdoubledatarate）：是用于显示的ram技术，其特点是高带宽、高延时。gddr5技术实际来源于ddr3，只不过降低了电压，减少了位宽（但支持更多channel），通过数据编码和读写线分开提高了数据速率（3g~6gt/s）。gddr5已经使用了将近10年，目前最新的标准是gddr6。
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