赛普拉斯的NV-SRAM接口解决方案
赛普拉斯的nv-sram将标准快速sram单元（访问时间高达20 ns）与基于硅氧化物和亚硝酸盐，氧化物硅（sonos）的非易失性存储元件相结合，可提供快速的异步读写访问速度，并在其整个工作范围内具有20年的数据保留。具有控制器的典型nv-sram接口如图1所示。
图1.带微控制器的nv-sram接口
高速sram单元提供了非常高速的读写访问，并且可以像标准sram中一样无限次地写入或读取nv-sram。如果断电则利用存储在与nv-sram的vcap引脚相连的小电容器中的电荷将sram中保存的数据传输到与每个sram单元集成的非易失性元件。 nv-sram vcap引脚上需要的电容器只有几十µf，典型值为68 µf（有关vcap的允许范围，并在上电期间通过内部充电电路进行充电。 vcap上存储的电荷足以在掉电期间将sram数据复制到非易失性元件（称为存储操作）。
此存储操作对应用程序是透明的，因为当vcc电源在阈值水平（vswitch）以下故障时会自动执行该存储操作。数据从sram到集成非易失性元件的并行传输意味着存储（将sram数据传输到非易失性元件）所花费的时间等于一次eeprom写（字节写或页写）操作。上电时非易失性数据会自动传送回sram，这称为recall操作。这使nv-sram成为真正的非易失性存储器，可以在断电时将数据保存在其非易失性元素中，而无需任何外部电源备份，例如电池或supercaps。
nv-sram中的store和recall操作也可以通过软件命令按需执行。 nv-sram具有许多其他功能，新应用程序可以使用这些功能。
与其他现有电路解决方案相比，赛普拉斯的nv-sram提供了最快，最可靠的非易失性解决方案。
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nv-sram中的store和recall操作也可以通过软件命令按需执行。 nv-sram具有许多其他功能，新应用程序可以使用这些功能。
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