三极管是什么意思 三极管的分类 三极管的主要参数
三极管基本概念双极性晶体管的全称为双极性结型晶体管，也就是我们常说的三极管。三极管顾名思义具有三个电极。前面的二极管是由一个p-n结构成的，而三极管由两个pn结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示）。其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。由于不同的组合方式，形成了一种是npn型的三极管，另一种是pnp型的三极管。它是一种电流控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号， 也用作无触点开关。它也是电子世界里重要的基本器件之一。
三极管具有三个工作状态，分别为：截止区、放大区、饱和区。在模拟电路中可以用这些特性实现不一样的功能，在数字电路中，只有0和1两个状态，所以数字电路中三极管主要用作电子开关来使用，这时候三极管工作在截止和饱和状态，即要么导通，要么断开，就相当于一个开关。
三极管结构三极管的种类很多，按功率大小可分为大功率管和小功率管；按电路中的工作频率可分为高频管和低频管；按半导体材料不同可分为硅管和锗管；按结构不同可分为npn管和pnp管。无论是npn型还是pnp型都分为三个区，分别称为发射区、基区和集电区，由三个区各引出一个电极，分别称为发射极（e）、基极（b）和集电极（c），发射区和基区之间的pn结称为发射结，集电区和基区之间的pn结称为集电结。其结构和符号见下图1、图2所示，其中发射极箭头所示方向表示发射极电流的流向。
三极管的原理三极管的工作原理相对比较复杂，这里不做详细讲解，用一个图来意会一下，记住这张图你就会能知道的是怎么工作的了，详细知识可以参考专业资料做进一步了解，有不懂的可以留言或与小编交流。
三极管的分类a.按材质分: 硅管、锗管。
b.按结构分: npn 、 pnp。
c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等。
d. 按功率分：小功率管、中功率管、大功率管。
e.按工作频率分：低频管、高频管、超频管。
f.按结构工艺分：合金管、平面管。
g.按安装方式:插件三极管、贴片三极管。
三极管的参数三极管的参数有很多，可以分成三大类：直流参数、交流参数、极限参数。
1．直流参数
a.集电极—基极反向饱和电流icbo集电极—基极反向饱和电流是指发射极开路时，基极和集电极之间加上规定的反向电压ucb时的集电极反向电流。
b.集电极—发射极反向电流iceo集电极—发射极反向电流也称穿透电流，是指基极开路时，集电极和发射极之间加上规定电压vce时的集电极电流。
c.发射极—基极反向电流iebo发射极—基极反向电流是指集电极开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。
d.直流电流放大系数（或hfe）直流电流放大系数是指采用共发射极接法，没有交流信号输入时，集电极的直流电流与基极的直流电流的比值。
2．交流参数
a.交流电流放大系数β（或hfe）交流电流放大系数是指采用共发射极接法时，集电极输出电流的变化量δic与基极输入电流的变化量δib之比。
b.截止频率fβ、fα晶体管的频率参数描述晶体管的电流放大系数对高频信号的适应能力。
根据fβ的定义，所谓共射截止频率，并非说明此时晶体管已经完全失去放大作用，而只是共射电流放大系数的幅频特性下降了3db。
c.特征频率因为信号频率ƒ上升时，晶体管的β就下降，当β下降到1时，所对应的信号频率称为共发射极特征频率，是表征晶体管高频特性的重要参数。
3．极限参数
a.集电极最大允许电流icm集电极最大允许电流是指当集电极电流ic增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2时的ic值。所以当集电极电流超过集电极最大允许电流时，虽然不致使管子损坏，但β值显著下降，影响放大质量。
b.集电极—基极击穿电压u(br)cbo集电极—基极击穿电压是指当发射极开路时，集电结的反向击穿电压。
c.发射极—基极反向击穿电压u(br)ebo发射极—基极反向击穿电压是指当集电极开路时，发射结的反向击穿电压。
d.集电极—发射极击穿电压u(br)ceo集电极—发射极击穿电压是指当基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，使用时如果uce＞u(br)ceo，管子就会被击穿。
e.集电极最大允许耗散功率pcm集电极最大允许耗散功率是指管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率。
总结三极管是一种重要的电子元器件，它应用非常广泛，并且它也是复杂集成电路的基本单元之一，在实际应用中我们少不了和它打交道，掌握它的基本原理和特性我们才能更好的运用它做出性能完整是电子产品。
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三极管具有三个工作状态，分别为：截止区、放大区、饱和区。在模拟电路中可以用这些特性实现不一样的功能，在数字电路中，只有0和1两个状态，所以数字电路中三极管主要用作电子开关来使用，这时候三极管工作在截止和饱和状态，即要么导通，要么断开，就相当于一个开关。
三极管结构三极管的种类很多，按功率大小可分为大功率管和小功率管；按电路中的工作频率可分为高频管和低频管；按半导体材料不同可分为硅管和锗管；按结构不同可分为npn管和pnp管。无论是npn型还是pnp型都分为三个区，分别称为发射区、基区和集电区，由三个区各引出一个电极，分别称为发射极（e）、基极（b）和集电极（c），发射区和基区之间的pn结称为发射结，集电区和基区之间的pn结称为集电结。其结构和符号见下图1、图2所示，其中发射极箭头所示方向表示发射极电流的流向。
三极管的原理三极管的工作原理相对比较复杂，这里不做详细讲解，用一个图来意会一下，记住这张图你就会能知道的是怎么工作的了，详细知识可以参考专业资料做进一步了解，有不懂的可以留言或与小编交流。
三极管的分类a.按材质分: 硅管、锗管。
b.按结构分: npn 、 pnp。
c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等。
d. 按功率分：小功率管、中功率管、大功率管。
e.按工作频率分：低频管、高频管、超频管。
f.按结构工艺分：合金管、平面管。
g.按安装方式:插件三极管、贴片三极管。
三极管的参数三极管的参数有很多，可以分成三大类：直流参数、交流参数、极限参数。
1．直流参数
a.集电极—基极反向饱和电流icbo集电极—基极反向饱和电流是指发射极开路时，基极和集电极之间加上规定的反向电压ucb时的集电极反向电流。
b.集电极—发射极反向电流iceo集电极—发射极反向电流也称穿透电流，是指基极开路时，集电极和发射极之间加上规定电压vce时的集电极电流。
c.发射极—基极反向电流iebo发射极—基极反向电流是指集电极开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。
d.直流电流放大系数（或hfe）直流电流放大系数是指采用共发射极接法，没有交流信号输入时，集电极的直流电流与基极的直流电流的比值。
2．交流参数
a.交流电流放大系数β（或hfe）交流电流放大系数是指采用共发射极接法时，集电极输出电流的变化量δic与基极输入电流的变化量δib之比。
b.截止频率fβ、fα晶体管的频率参数描述晶体管的电流放大系数对高频信号的适应能力。
根据fβ的定义，所谓共射截止频率，并非说明此时晶体管已经完全失去放大作用，而只是共射电流放大系数的幅频特性下降了3db。
c.特征频率因为信号频率ƒ上升时，晶体管的β就下降，当β下降到1时，所对应的信号频率称为共发射极特征频率，是表征晶体管高频特性的重要参数。
3．极限参数
a.集电极最大允许电流icm集电极最大允许电流是指当集电极电流ic增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2时的ic值。所以当集电极电流超过集电极最大允许电流时，虽然不致使管子损坏，但β值显著下降，影响放大质量。
b.集电极—基极击穿电压u(br)cbo集电极—基极击穿电压是指当发射极开路时，集电结的反向击穿电压。
c.发射极—基极反向击穿电压u(br)ebo发射极—基极反向击穿电压是指当集电极开路时，发射结的反向击穿电压。
d.集电极—发射极击穿电压u(br)ceo集电极—发射极击穿电压是指当基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，使用时如果uce＞u(br)ceo，管子就会被击穿。
e.集电极最大允许耗散功率pcm集电极最大允许耗散功率是指管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率。
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