三星和英特尔将加快嵌入式MRAM的研发脚步
（文章来源：esm）
全球两大半导体巨擘——英特尔(intel)、三星(samsung)在第64届国际电子组件会议(iedm)上，发表嵌入式mram在逻辑芯片制造工艺的新技术。
英特尔介绍整合于其22ffl工艺的自旋转移力矩(stt)-mram非挥发内存之关键特性，并指称这是“首款基于finfet的mram技术”。英特尔表示该技术目前已经“生产就绪”(production-ready)，但并没透露有哪一家代工厂采用这一工艺；不过，根据多个消息来源显示，该技术已经用于目前出货中的产品了。
同时，三星(samsung)介绍在其28nm fdsoi工艺制造的stt-mram。从可扩展性、形状可调整以及磁可扩展性方面来看，stt-mram被视为是目前最佳的mram技术。mram技术自1990年代起开始发展，但尚未取得广泛的商业成功。三星研发中心首席工程师yoon jong song说：“我认为现在是展示mram可制造和商业化成果的时候了！”song同时也是该公司在iedm发表论文的主要作者。
随着业界持续迈向更小技术节点，dram和nand闪存(flash)正面对着严苛的微缩挑战，mram因而被视为有望取代这些内存芯片的备选独立式组件。此外，这种非挥发性内存由于具备快速读/写时间、高耐受度以及强劲的保留能力，也被视为极具吸引力的嵌入式技，适用于取代flash和嵌入式sram。嵌入式mram被视为特别适用于像物联网(iot)设备之类的应用。
电子显微镜影像显示mtj数组的横截面，该数组嵌入于英特尔22nm finfet逻辑工艺中的metal 2和metal 4之间（来源：iedm/intel）
自去年以来，格芯科技(globalfoundries)一直在供应采用其22fdx 22-nm fd-soi工艺的嵌入式mram。但objective analysis首席分析师jim handy表示，他并未注意到有任何采用globalfoundries嵌入式mram技术的任何商业化产品推出。他说：“没有人采用的原因在于他们还必须为其添加新材料。”
但随着制造成本降低以及其他内存技术面对微缩挑战，嵌入式mram越来越受青睐。handy说：“重要的是，随着新的工艺技术进展，sram内存单元的尺寸并不会随着其后的先进工艺而缩小，因此，mram将会变得越来越有吸引力。”
英特尔在iedm发表的论文中表示，其嵌入式mram技术在摄氏200°温度下可实现10年的数据保留能力，耐受度超过106个开关周期。该技术使用216×225 mm 1t-1r内存单元。同时，三星称其8mb mram的耐受度为106个周期，同样支持10年的保留能力。
song表示，三星的技术一开始将先针对物联网(iot)应用，并将在提高可靠性之后，陆续导入汽车和工业应用。“我们已成功将该技术从实验室转移到晶圆厂，预计在不久的将来上市。”
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英特尔介绍整合于其22ffl工艺的自旋转移力矩(stt)-mram非挥发内存之关键特性，并指称这是“首款基于finfet的mram技术”。英特尔表示该技术目前已经“生产就绪”(production-ready)，但并没透露有哪一家代工厂采用这一工艺；不过，根据多个消息来源显示，该技术已经用于目前出货中的产品了。
同时，三星(samsung)介绍在其28nm fdsoi工艺制造的stt-mram。从可扩展性、形状可调整以及磁可扩展性方面来看，stt-mram被视为是目前最佳的mram技术。mram技术自1990年代起开始发展，但尚未取得广泛的商业成功。三星研发中心首席工程师yoon jong song说：“我认为现在是展示mram可制造和商业化成果的时候了！”song同时也是该公司在iedm发表论文的主要作者。
随着业界持续迈向更小技术节点，dram和nand闪存(flash)正面对着严苛的微缩挑战，mram因而被视为有望取代这些内存芯片的备选独立式组件。此外，这种非挥发性内存由于具备快速读/写时间、高耐受度以及强劲的保留能力，也被视为极具吸引力的嵌入式技，适用于取代flash和嵌入式sram。嵌入式mram被视为特别适用于像物联网(iot)设备之类的应用。
电子显微镜影像显示mtj数组的横截面，该数组嵌入于英特尔22nm finfet逻辑工艺中的metal 2和metal 4之间（来源：iedm/intel）
自去年以来，格芯科技(globalfoundries)一直在供应采用其22fdx 22-nm fd-soi工艺的嵌入式mram。但objective analysis首席分析师jim handy表示，他并未注意到有任何采用globalfoundries嵌入式mram技术的任何商业化产品推出。他说：“没有人采用的原因在于他们还必须为其添加新材料。”
但随着制造成本降低以及其他内存技术面对微缩挑战，嵌入式mram越来越受青睐。handy说：“重要的是，随着新的工艺技术进展，sram内存单元的尺寸并不会随着其后的先进工艺而缩小，因此，mram将会变得越来越有吸引力。”
英特尔在iedm发表的论文中表示，其嵌入式mram技术在摄氏200°温度下可实现10年的数据保留能力，耐受度超过106个开关周期。该技术使用216×225 mm 1t-1r内存单元。同时，三星称其8mb mram的耐受度为106个周期，同样支持10年的保留能力。
song表示，三星的技术一开始将先针对物联网(iot)应用，并将在提高可靠性之后，陆续导入汽车和工业应用。“我们已成功将该技术从实验室转移到晶圆厂，预计在不久的将来上市。”
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