晶柱切片後處理
晶柱切片後處理
矽晶柱長成後，整個晶圓的製作才到了一半，接下必須將晶柱做裁切與檢測，裁切掉頭尾的晶棒將會進行外徑研磨、切片等一連串的處理，最後才能成為一片片價值非凡的晶圓，以下將對晶柱的後處理製程做介紹。
切片（slicing）
長久以來經援切片都是採用內徑鋸，其鋸片是一環狀薄葉片，內徑邊緣鑲有鑽石顆粒，晶棒在切片前預先黏貼一石墨板，不僅有利於切片的夾持，更可以避免在最後切斷階段時鋸片離開晶棒所造的破裂。 切片晶圓的厚度、弓形度（bow）及撓屈度（warp）等特性為製程管制要點。 影響晶圓品質的因素除了切割機台本身的穩定度與設計外，鋸片的張力狀況及鑽石銳利度的保持都有很大的影響。 圓邊（edge polishing）
剛切好的晶圓，其邊緣垂直於切割平面為銳利的直角，由於矽單晶硬脆的材料特性，此角極易崩裂，不但影響晶圓強度，更為製程中污染微粒的來源，且在後續的半導體製成中，未經處理的晶圓邊緣也為影響光組與磊晶層之厚度，固須以電腦數值化機台自動修整切片晶圓的邊緣形狀與外徑尺寸。 研磨（lapping） 研磨的目的在於除去切割或輪磨所造成的鋸痕或表面破壞層，同時使晶圓表面達到可進行拋光處理的平坦度。 蝕刻（etching）
晶圓經前述加工製程後，表面因加工應力而形成一層損傷層（damaged layer），在拋光之前必須以化學蝕刻的方式予以去除，蝕刻液可分為酸性與鹼性兩種。 去疵（gettering）
利用噴砂法將晶圓上的瑕疵與缺陷感到下半層，以利往後的ic製程。 拋光（polishing）
晶圓的拋光，依製程可區分為邊緣拋光與表面拋光兩種
• 邊緣拋光（edge polishing） 邊緣拋光的主要目的在於降低微粒（particle）附著於晶圓的可能性，並使晶圓具備較佳的機械強度，但需要的設備昂貴且技術層面較高，除非各戶要求，否則不進行本製程。
• 表面拋光（surface polishing） 表面拋光是晶圓加工處理的最後一道步驟，移除晶圓表面厚度約10-20微米，其目的在改善前述製程中遺留下的微缺陷，並取得局部平坦度的極佳化，以滿足ic製程的要求 基本上本製程為化學－機械的反應機制，由研磨劑中的naoh , koh , nh4oh腐蝕晶圓的最表層，由機械摩擦作用提供腐蝕的動力來源。
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• 表面拋光（surface polishing） 表面拋光是晶圓加工處理的最後一道步驟，移除晶圓表面厚度約10-20微米，其目的在改善前述製程中遺留下的微缺陷，並取得局部平坦度的極佳化，以滿足ic製程的要求 基本上本製程為化學－機械的反應機制，由研磨劑中的naoh , koh , nh4oh腐蝕晶圓的最表層，由機械摩擦作用提供腐蝕的動力來源。
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